METHOD FOR REMOVING PHOTORESIST FILMS FROM SURFACE OF OPTICAL GLASSES

FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of removing photoresist films from the surface of optical glasses, including plasma-chemical etching of the plate by low-temperature plasma in the presence of atomic oxygen, according to the invention, the treated plate is optical glass, and heating of the pho...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Smirnova Tatyana Sergeevna, Sergeev Sergej Alekseevich, Lebedev Eduard Aleksandrovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: in the method of removing photoresist films from the surface of optical glasses, including plasma-chemical etching of the plate by low-temperature plasma in the presence of atomic oxygen, according to the invention, the treated plate is optical glass, and heating of the photoresist film up to the optimum etching temperature is performed by an infrared radiator located below the surface of the treated plate.EFFECT: ensuring a high rate of removal of the photoresist film from the surface of optical glasses, large in area and thickness, without surface carbonization.1 dwg Изобретение относится к технологии изготовления изделий оптической техники, конкретно к способу удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, служащих в качестве основной маски при формировании микроэлементов на их поверхности. Технический результат изобретения заключается в обеспечении высокой скорости удаления фоторезистивной пленки с поверхности габаритных по площади и толщине оптических стекол без науглевоживания поверхности. В способе удаления фоторезистивных пленок с поверхности оптических стекол, включающем плазмохимическое травление пластины низкотемпературной плазмой в присутствии атомарного кислорода, согласно изобретению обрабатываемой пластиной является оптическое стекло, а нагрев фоторезистивной пленки до оптимальной температуры травления осуществляется инфракрасным излучателем, расположенным под поверхностью обрабатываемой пластины. 1 ил.