CRYSTALLINE MATERIAL FOR RECORDING X-RAY RADIATION
FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the method of producing a crystalline material that is a solid solution of the general formula BaSr(BO)F, where 0≤x≤1 and 0≤y≤0.5 suitable for recording X-ray radiation. Crystalline material BaSr(BO)Fhas colour centres formed under the influence of X-...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | Bekker Tatyana Borisovna Eliseev Aleksandr Pavlovich Rashchenko Sergej Vladimirovich Solntsev Vladimir Pavlovich |
| description | FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the method of producing a crystalline material that is a solid solution of the general formula BaSr(BO)F, where 0≤x≤1 and 0≤y≤0.5 suitable for recording X-ray radiation. Crystalline material BaSr(BO)Fhas colour centres formed under the influence of X-rays - stable hole centres [(BO)O], stable at room temperature for, at least, three months, causing absorption in the visible region of the spectrum and changing the colour of the crystals to dark violet and relaxation after irradiation with an intense light source with the wavelength of 300-400 nm.EFFECT: low hygroscopicity, can be synthesized in air in the absence of highly toxic elements.5 dwg, 2 ex
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы ВаSr(ВО)F, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал ВаSr(ВО)Fимеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО)О], устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм. Данный материал является монокристаллическим, характеризуется низкой гигроскопичностью и может быть синтезирован на воздухе в отсутствие высокотоксичных элементов. 5 ил., 2 пр. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2630511C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2630511C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2630511C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZDByDooMDnH08fH0c1XwdQxxDfJ09FFw8w9SCHJ19g9y8fRzV4jQDXKMVAhydPF0DPH09-NhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUZmxgamhobOhsZEKAEAPR0mlg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>CRYSTALLINE MATERIAL FOR RECORDING X-RAY RADIATION</title><source>esp@cenet</source><creator>Bekker Tatyana Borisovna ; Eliseev Aleksandr Pavlovich ; Rashchenko Sergej Vladimirovich ; Solntsev Vladimir Pavlovich</creator><creatorcontrib>Bekker Tatyana Borisovna ; Eliseev Aleksandr Pavlovich ; Rashchenko Sergej Vladimirovich ; Solntsev Vladimir Pavlovich</creatorcontrib><description>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the method of producing a crystalline material that is a solid solution of the general formula BaSr(BO)F, where 0≤x≤1 and 0≤y≤0.5 suitable for recording X-ray radiation. Crystalline material BaSr(BO)Fhas colour centres formed under the influence of X-rays - stable hole centres [(BO)O], stable at room temperature for, at least, three months, causing absorption in the visible region of the spectrum and changing the colour of the crystals to dark violet and relaxation after irradiation with an intense light source with the wavelength of 300-400 nm.EFFECT: low hygroscopicity, can be synthesized in air in the absence of highly toxic elements.5 dwg, 2 ex
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы ВаSr(ВО)F, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал ВаSr(ВО)Fимеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО)О], устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм. Данный материал является монокристаллическим, характеризуется низкой гигроскопичностью и может быть синтезирован на воздухе в отсутствие высокотоксичных элементов. 5 ил., 2 пр.</description><language>eng ; rus</language><subject>ADHESIVES ; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; DYES ; MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE ; METALLURGY ; MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS ; MISCELLANEOUS COMPOSITIONS ; NATURAL RESINS ; PAINTS ; POLISHES ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2017</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20170911&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2630511C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20170911&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2630511C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Bekker Tatyana Borisovna</creatorcontrib><creatorcontrib>Eliseev Aleksandr Pavlovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Rashchenko Sergej Vladimirovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Solntsev Vladimir Pavlovich</creatorcontrib><title>CRYSTALLINE MATERIAL FOR RECORDING X-RAY RADIATION</title><description>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the method of producing a crystalline material that is a solid solution of the general formula BaSr(BO)F, where 0≤x≤1 and 0≤y≤0.5 suitable for recording X-ray radiation. Crystalline material BaSr(BO)Fhas colour centres formed under the influence of X-rays - stable hole centres [(BO)O], stable at room temperature for, at least, three months, causing absorption in the visible region of the spectrum and changing the colour of the crystals to dark violet and relaxation after irradiation with an intense light source with the wavelength of 300-400 nm.EFFECT: low hygroscopicity, can be synthesized in air in the absence of highly toxic elements.5 dwg, 2 ex
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы ВаSr(ВО)F, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал ВаSr(ВО)Fимеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО)О], устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм. Данный материал является монокристаллическим, характеризуется низкой гигроскопичностью и может быть синтезирован на воздухе в отсутствие высокотоксичных элементов. 5 ил., 2 пр.</description><subject>ADHESIVES</subject><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>DYES</subject><subject>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</subject><subject>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</subject><subject>NATURAL RESINS</subject><subject>PAINTS</subject><subject>POLISHES</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2017</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZDByDooMDnH08fH0c1XwdQxxDfJ09FFw8w9SCHJ19g9y8fRzV4jQDXKMVAhydPF0DPH09-NhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUZmxgamhobOhsZEKAEAPR0mlg</recordid><startdate>20170911</startdate><enddate>20170911</enddate><creator>Bekker Tatyana Borisovna</creator><creator>Eliseev Aleksandr Pavlovich</creator><creator>Rashchenko Sergej Vladimirovich</creator><creator>Solntsev Vladimir Pavlovich</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20170911</creationdate><title>CRYSTALLINE MATERIAL FOR RECORDING X-RAY RADIATION</title><author>Bekker Tatyana Borisovna ; Eliseev Aleksandr Pavlovich ; Rashchenko Sergej Vladimirovich ; Solntsev Vladimir Pavlovich</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2630511C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2017</creationdate><topic>ADHESIVES</topic><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>DYES</topic><topic>MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS</topic><topic>MISCELLANEOUS COMPOSITIONS</topic><topic>NATURAL RESINS</topic><topic>PAINTS</topic><topic>POLISHES</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Bekker Tatyana Borisovna</creatorcontrib><creatorcontrib>Eliseev Aleksandr Pavlovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Rashchenko Sergej Vladimirovich</creatorcontrib><creatorcontrib>Solntsev Vladimir Pavlovich</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Bekker Tatyana Borisovna</au><au>Eliseev Aleksandr Pavlovich</au><au>Rashchenko Sergej Vladimirovich</au><au>Solntsev Vladimir Pavlovich</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CRYSTALLINE MATERIAL FOR RECORDING X-RAY RADIATION</title><date>2017-09-11</date><risdate>2017</risdate><abstract>FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to the method of producing a crystalline material that is a solid solution of the general formula BaSr(BO)F, where 0≤x≤1 and 0≤y≤0.5 suitable for recording X-ray radiation. Crystalline material BaSr(BO)Fhas colour centres formed under the influence of X-rays - stable hole centres [(BO)O], stable at room temperature for, at least, three months, causing absorption in the visible region of the spectrum and changing the colour of the crystals to dark violet and relaxation after irradiation with an intense light source with the wavelength of 300-400 nm.EFFECT: low hygroscopicity, can be synthesized in air in the absence of highly toxic elements.5 dwg, 2 ex
Изобретение относится к технологии получения кристаллического материала, являющегося твердым раствором общей формулы ВаSr(ВО)F, где 0≤x≤1 и 0≤y≤0,5, пригодного для регистрации рентгеновского излучения. Кристаллический материал ВаSr(ВО)Fимеет центры окраски, образованные под воздействием рентгеновского излучения - стабильные дырочные центры [(ВО)О], устойчивые при комнатной температуре в течение не менее трех месяцев, обуславливающие поглощение в видимой области спектра и изменение окраски кристаллов до темно-фиолетового и релаксацию после облучения интенсивным источником света с длиной волны 300-400 нм. Данный материал является монокристаллическим, характеризуется низкой гигроскопичностью и может быть синтезирован на воздухе в отсутствие высокотоксичных элементов. 5 ил., 2 пр.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2630511C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | ADHESIVES AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH DYES MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | CRYSTALLINE MATERIAL FOR RECORDING X-RAY RADIATION |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-03T00%3A29%3A56IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=Bekker%20Tatyana%20Borisovna&rft.date=2017-09-11&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2630511C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |