METHOD FOR PRODUCING CO-P AMORPHOUS FILMS ON DIELECTRIC SUBSTRATE

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to chemical deposition of magnetically soft and magnetically rigid films of cobalt-phosphorus composition used as media for magnetic and thermomagnetic recording for the creation of microelectromagnetic mechanical sensors (MEMS), as well as in sensors of...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Podorozhnyak Sergej Aleksandrovich, Patrin Gennadij Semenovich, Chzhan Anatolij Vladimirovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to chemical deposition of magnetically soft and magnetically rigid films of cobalt-phosphorus composition used as media for magnetic and thermomagnetic recording for the creation of microelectromagnetic mechanical sensors (MEMS), as well as in sensors of weak magnetic fields, in microwave devices: filters, power limiters, amplitude modulators, phase manipulators. The method includes cleaning the dielectric substrate, double sensitization in a solution of tin chloride, activation in a solution of palladium chloride, and precipitation of a Co-P magnetic film. In this case, between the stages of sensibilization, heat treatment is carried out at a temperature of 300-450°C, and the deposition of the Co-P magnetic film is carried out on the dried substrate from a solution containing, g/l: cobalt sulfate CoSO⋅7HO - 10, sodium hypophosphite NaHPO⋅HO - 7.5, sodium citrate NaCHO- 25, at 95-100°C and pH of the solution from 7.1 to 9.6, which is set by adding alkali to the solution.EFFECT: production of both high-coercivity and low-coercivity Co-P films and simplification of the technology by reducing the number of technological operations.1 dwg, 1 tbl Изобретение относится к области химического осаждения магнитомягких и магнитожестких пленок состава кобальт-фосфор, применяющихся в качестве сред для магнитной и термомагнитной записи, для создания микроэлектромагнитных механических устройств (MEMS), а также в датчиках слабых магнитных полей, в устройствах СВЧ: фильтрах, ограничителях мощности, амплитудных модуляторах, фазовых манипуляторах. Способ включает очистку диэлектрической подложки, двойную сенсибилизацию в растворе хлористого олова, активацию в растворе хлористого палладия и осаждение магнитной пленки Со-Р. При этом между этапами сенсибилизации проводят термообработку при температуре 300-450°С, а осаждение магнитной пленки Со-Р осуществляют на высушенную подложку из раствора, содержащего, г/л: кобальт сернокислый CoSO⋅7HO - 10, гипофосфит натрия NaHPO⋅HO - 7,5, натрий лимоннокислый NaCHO- 25, при 95-100°С и рН раствора от 7,1 до 9,6, который задают путем добавления в раствор щелочи. Техническим результатом изобретения является получение как высококоэрцитивных, так и низкокоэрцитивных пленок Co-P и упрощение технологии за счет сокращения количества технологических операций. 1 ил., 1 табл.