METHOD OF ION-BEAM PROCESSING OF PRODUCTS WITH A LARGE SURFACE AREA

FIELD: physics.SUBSTANCE: workpieces move across a large beam axis, formed by using ion-optical system containing plasma and accelerating electrodes, each of which contains a large number of slot apertures. Multi-slit structure of ion optical system determines the existence of local inhomogeneities...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Gavrilov Nikolaj Vasilevich, Tretnikov Petr Vasilevich, Emlin Daniil Rafailovich
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: physics.SUBSTANCE: workpieces move across a large beam axis, formed by using ion-optical system containing plasma and accelerating electrodes, each of which contains a large number of slot apertures. Multi-slit structure of ion optical system determines the existence of local inhomogeneities ion current density distribution, resulting in uneven ion-beam processing. Products move angle αaxis parallel to slot apertures and, as a result, sites get the same surface ion fluence irradiations. Minimum angle α=arctg(h/l) is determined from the condition of intersection of the beam region along the diagonal of the unit aperture. Maximum angle ofα=arccos(H/l) is defined by the conditions of preservation of the optimal length of the aperture. Here l, h is the length and width of the apertures, n-length short axis of beam cross-section.EFFECT: achieving uniform ion-beam treatment of products when moving in the ion beam region.4 dwg Изобретение относится к способам ионно-лучевой обработки изделий с большой площадью поверхности. Обрабатываемые изделия перемещают поперек большой оси пучка, формируемого с помощью ионно-оптической системы, содержащей плазменный и ускоряющий электроды, каждый из которых содержит большое число щелевых апертур. Многощелевая структура ионно-оптической системы обуславливает существование локальных неоднородностей распределения плотности ионного тока, приводящих к неравномерности ионно-лучевой обработки. Изделия перемещают под углом αотносительно оси параллельных щелевых апертур, в результате все участки поверхности изделий получают одинаковый флюенс ионного облучения. Минимальный угол α=arctg(h/l) определяют из условия пересечения области пучка по диагонали единичной апертуры. Максимальный угол α=arccos(H/l) определяют из условия сохранения оптимальной длины апертуры. Здесь l, h - длина и ширина апертур, Н - длина короткой оси сечения пучка. Технический результат - достижение равномерной ионно-лучевой обработки изделий при их перемещении в области ионного пучка. 4 ил.