METHOD FOR PREPARATION OF CRYSTALLINE OR POLYCRYSTALLINE SUBSTRATE BELOW PLATING
FIELD: physics, instrumentation.SUBSTANCE: invention refers to a radio electronics, namely to PCB manufacturing techniques. The essence of method for preparation of crystalline or polycrystalline substrates for plating is that the crystal or polycrystalline substrate is polished in a standard way, p...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics, instrumentation.SUBSTANCE: invention refers to a radio electronics, namely to PCB manufacturing techniques. The essence of method for preparation of crystalline or polycrystalline substrates for plating is that the crystal or polycrystalline substrate is polished in a standard way, photoresist is applied to the substrate, which is then light-cured and etched, the photoresist is coated by a mask and active metal to remove the charge, embedded dislocations are created, for which the selected metal is treated by an ion flow from the ion accelerator, and, after substrate activation the mask and the active metal are washed away by a liquid substance which does not react with the activating metal.EFFECT: expansion of the arsenal of technical tools for preparation of crystalline or polycrystalline substrates for plating.1 dwg
Изобретение относится к радиоэлектронике, а точнее к технологии производства печатных плат. Сущность способа подготовки кристаллической или поликристаллической подложки под металлизацию заключается в том, что кристаллическую или поликристаллическую подложку стандартным образом шлифуют, на подложку наносят фоторезист, который затем засвечивают и травят, фоторезист покрывают маской и активным металлом для снятия заряда, создают внедренные дислокации, для чего выбранный металл обрабатывают потоком ионов от ионного ускорителя и после активации подложки маску и активный металл смывают жидким веществом, не реагирующим с активирующим металлом. Техническим результатом изобретения является расширение арсенала технических средств для подготовки кристаллических или поликристаллических подложек под металлизацию. 1 ил. |
---|