METHOD FOR SEMICONDUCTING SILICON CARBIDE ELEMENT PRODUCTION

FIELD: physics, instrumentation.SUBSTANCE: invention refers to microelectronics and can be used in electronic devices manufacturing technology based on silicon carbide (SiC), for example, MIS transistors with improved performance. The method for silicon carbide semiconducting element production incudes phosphorus ions administering in the SiC substrate by ion implantation, and further formation of a SiOlayer thereon, implantation of phosphorus ions is performed with ion energy in the rangen of 0.1-50 keV and ion dose in the rangeof 10-10cm, and the layer of SiOis formed by deposition and then the resultant structure is annealed. The SiOlayer formed by deposition may have a thickness of 25-100 nm, and annealing of the resultant structure may be carried out in a dry or wet oxygen atmosphere or in an inert gas atmosphere with a partial pressure of oxygen at a temperature of 900-1250°C for 1-180 min.EFFECT: invention allows to increase reliability and service life of the semiconducting silicon carbide element while reducing time and cost of its production.6 cl, 1 dwg, 1 tbl Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками. В способе получения полупроводникового карбидокремниевого элемента, включающем введение ионов фосфора в SiC подложку путем ионной имплантации и дальнейшее формирование на ней слоя SiO, имплантацию ионов фосфора проводят с энергией ионов в диапазоне 0,1-50 кэВ и дозой ионов в диапазоне 10-10см, а слой SiOформируют методом осаждения и далее проводят отжиг полученной структуры. Сформированный методом осаждения слой SiOможет иметь толщину 25-100 нм, а отжиг полученной структуры могут проводить в атмосфере сухого, либо влажного кислорода, либо в атмосфере инертного газа с парциальным давлением кислорода при температуре 900-1250°С в течение 1-180 мин. Способ позволяет повысить надежность и срок службы полупроводникового карбидокремниевого элемента при сокращении времени и затрат на его получение. 5 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 табл.