METHOD OF DETERMINING DENSITY OF DISLOCATIONS IN GERMANIUM MONOCRYSTALS BY PROFILOMETRY

FIELD: chemistry.SUBSTANCE: invention relates to methods of detecting of structural defects of crystals and may be used for investigation of dislocation structure and quality control of germanium crystals. Method of determining density of dislocations in germanium monocrystals by profilometry involves examination of surface of specimen of germanium crystal, processed in selective etching agent, and monitoring etching figures using an interference profilometer. During scanning and production of 3D surface profile said areas are subjected to profilometric analysis, and when producing local 2D profiles assessment and calculation of minima is carried out, which are bottom of etching pits at outlet of dislocations and based on 3D and 2D profiles, conclusion is made on associating/not associating pits to dislocation pits.EFFECT: high accuracy and information value of calculation of density of dislocations.1 cl, 4 dwg Изобретение относится к области методов выявления структурных дефектов кристаллов и может быть использовано для исследования дислокационной структуры и контроля качества кристаллов германия. Способ определения плотности дислокаций в монокристаллах германия методом профилометрии включает исследование поверхности образца кристалла германия, обработанного в селективном травителе, и наблюдение фигур травления с помощью интерференционного профилометра. Причем при сканировании и получении 3D профиля поверхности данные области подвергаются профилометрическому анализу, а при получении локальных 2D профилей производится оценка и подсчет минимумов, которые являются дном ямок травления в местах выхода дислокаций и на основе профилей 3D и 2D делается вывод об отнесении/не отнесении ямок к дислокационным ямкам. Техническим результатом является повышение точности и информативности подсчета плотности дислокаций. 4 ил.