METHOD OF PRODUCING LIGHT-ABSORBING SILICON STRUCTURE

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to solar photoelectric converters based on monocrystalline silicon. Method of producing light-absorbing silicon structure includes application on surface of a monocrystalline silicon sample of layer of vanadium with thickness of 50 nm to 80 nm, heating to temperature (430-440) °C for at least 20 minutes and holding for not less than 40 minutes. Sample is then heated to temperature (630-650) °C for not less than 15 minutes and annealed in an oxygen containing medium for not less than 1 hour. Further, etching is carried out in 40 % aqueous solution of hydrofluoric acid for not less than 1 hour, followed by washing in deionised water and drying.EFFECT: invention enables to create a light-absorbing structure for a solar photoelectric converter with improved efficiency.1 cl, 2 dwg, 12 ex Изобретение относится к области солнечных фотоэлектрических преобразователей на основе монокристаллического кремния. Способ получения светопоглощающей кремниевой структуры включает нанесение на поверхность образца из монокристаллического кремния слоя ванадия толщиной от 50 нм до 80 нм, нагревание до температуры (430-440)°C в течение не менее 20 минут и выдержку в течение не менее 40 минут. Затем образец нагревают до температуры (630-650)°C в течение не менее 15 минут и отжигают в кислородосодержащей среде в течение не менее 1 часа. Далее производят травление в 40% водном растворе плавиковой кислоты в течение не менее 1 часа, промывку в деионизованной воде и сушку. Изобретение обеспечивает создание светопоглощающей структуры для солнечного фотопреобразователя с повышенной эффективностью. 2 ил., 12 пр.