METHOD OF MANUFACTURING INTERCONNECTIONS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention can be used for manufacturing of multilevel system of silicon integrated circuit interconnections. Invention relates to the method of manufacturing interconnections for semiconductor devices, including forming nanosized particles on the surface, growing nanomaterial on said nanosized particles, depositing conducting material on a substrate, forming composite material of nanomaterial and conducting material, forming interconnections isolated from each other, before forming nanosized particles alloy layer which contains a component for forming nanosized particles is applied, said component is an element or a combination of elements of I and/or VIII group, and a component for forming diffusion barrier layer, which is a transition metal or a combination of transition metals of IV-VI groups of Element periodic table, and thermal action on it.EFFECT: simplifying technology of forming interconnections, increasing electromigration resistance at high current density and increasing thermal stability of interconnections.7 cl, 2 dwg Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов, включающий формирование частиц нанометрового размера на поверхности, выращивание наноматериала на указанных частицах нанометрового размера, осаждение на подложку проводящего материала, формирование композитного материала из наноматериала и проводящего материала, формирование изолированных друг от друга межсоединений, перед формированием частиц нанометрового размера производится нанесение слоя сплава, который содержит компонент для формирования частиц нанометрового размера, представляющий собой элемент или комбинацию элементов из I и/или VIII группы, и компонент для формирования диффузионно-барьерного слоя, представляющий собой переходный металл или комбинацию переходных металлов из IV-VI групп Периодической таблицы элементов, и термическое воздействие на него. Технический результат: обеспечение возможности упрощения технологии формирования межсоединений прибора, повышения стойкости к электромиграции при высоких плотностях тока, повышения термической стабильности межсоединений. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.