METHOD FOR VACUUM SPUTTERING OF TOPOLOGICAL THIN-FILM PATTERN OF HYBRID MICROCIRCUIT ON SUBSTRATE

FIELD: technological processes.SUBSTANCE: invention relates to method for vacuum sputtering of topological pattern of thin-film hybrid microchip on substrate and can be used in microelectronics. Substrate is placed on first mask in first working zone. Create and maintain required vacuum, at least in two working chambers and communicating with them via appropriate vacuum gates of transport zone. After deposition of substrate in first working chamber, with preservation of vacuum, by means of manipulator substrate is separated from first mask. Substrate is moved from first working chamber through transportation zone into second working chamber. Substrate is installed on second mask. Then, second spraying of substrate through second mask is performed.EFFECT: as result, topological pattern of thin-film of high quality is obtained.1 cl, 3 dwg Изобретение относится к способу напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку и может быть использовано в микроэлектронике. Подложку устанавливают на первую маску в первой рабочей зоне. Создают и поддерживают необходимый вакуум, по меньшей мере, в двух рабочих камерах и в сообщающейся с ними через соответствующие вакуумные затворы транспортной зоне. После напыления подложки в первой рабочей камере, с сохранением вакуума, посредством манипулятора отделяют подложку от первой маски. Перемещают подложку из первой рабочей камеры через транспортную зону во вторую рабочую камеру. Устанавливают подложку на вторую маску. Затем производят второе напыление подложки через вторую маску. В результате получают топологический тонкопленочный рисунок высокого качества. 3 ил.