INTEGRATED CIRCUIT OF POWER BIPOLAR-FIELD-EFFECT TRANSISTOR

FIELD: electricity.SUBSTANCE: invention relates to power semiconductor devices and bipolar integrated circuits. Integrated circuit power bipolar-field-effect transistor is realised using an original functionally integrated structure of the integrated circuit, in which functionally combined heavily doped bipolar transistor base region and source and drain of field transistor, field-effect transistor gate and a bipolar transistor collector electrode region.EFFECT: invention provides higher efficiency, reduced power losses at switching, simplified production.4 cl, 3 dwg Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и биполярным интегральным схемам. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия, уменьшение энергетических потерь при переключении, упрощение технологии изготовления. Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора реализуется с использованием оригинальной функционально-интегрированной конструкции интегральной схемы, в которой функционально совмещены сильнолегированная область базы биполярного транзистора и исток и сток полевого транзистора, затвор полевого транзистора и область коллектора биполярного транзистора. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 3 ил.