FLASH MEMORY ELEMENT FOR ELECTRICALLY PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY

FIELD: instrument making.SUBSTANCE: flash memory element for electrically programmable read-only memory is intended for storage of information when power supply is switched off. On semiconductor substrate with source and drain between latter there is a tunnel layer, an additional tunnel layer, a memory layer, a blocking layer and a gate. Additional tunnel and blocking layer are made from material with high permittivity, from 5 to 2,000 exceeding permittivity of material of tunnel layer made of SiO. Memory layer is made in form of graphene.EFFECT: prolonged storage of charge, increased memory window to 7 V, possibility of injection of positive and negative charge, reduced time for recording/deleting information, prolonging information storage time to 12 years.6 cl, 4 dwg Флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке с истоком и стоком между последними выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнительный туннельный и блокирующий слои выполнены из материала с высоким значением диэлектрической проницаемости, от 5 до 2000, превосходящим диэлектрическую проницаемость материала туннельного слоя, выполненного из SiO. Запоминающий слой выполнен в виде графена. В результате обеспечивается увеличение времени хранение заряда, увеличение окна памяти до 7 В, возможность инжекции положительного и отрицательного заряда, снижение времени записи/стирания информации, увеличение времени хранения информации до 12 лет. 5 з.п. ф-лы, 4 ил.