BIPOLAR CELL COORDINATE SENSOR - RADIATION DETECTOR

FIELD: physics.SUBSTANCE: invention relates to semiconductor coordinate detectors of radiation particles. Bipolar cell of coordinate optoelectronic sensor-radiation detector can be used in modern ranging systems, control of fixed and moving objects, probing of cloud cover and terrain relief, optical communication lines. Technical result is achieved by applying new electric circuit, which has diode collecting ionisation current p-i-n, as well as 2-emitter bipolar n-p-n (p-n-p) transistor, which first emitter is connected to first output of address bus, and second output is to second address bus, and base of bipolar transistor through resistor is connected to offset voltage bus, and collector is to power bus. At that, said electrical circuit is implemented in design of integrated circuit, in which functionally combined high-voltage p-i-n diode and bipolar transistor increasing low-voltage ionisation current.EFFECT: invention provides high efficiency of detecting optical and deeply penetrating radiations and faster operation of radiation detector.2 cl, 2 dwg Изобретение относится к полупроводниковым координатным детекторам радиационных частиц. Изобретение обеспечивает повышение эффективности регистрации оптических и глубоко проникающих излучений и повышение быстродействия детектора излучений. Биполярная ячейка координатного фотоприемника - детектора излучений может использоваться в современных системах дальнометрии, управления неподвижными и движущимися объектами, зондирования облачности и контроля рельефа местности, оптических линий связи. Технический результат достигается за счет применения новой электрической схемы, в которой имеется собирающий ионизационный ток p-i-n-диод, а также 2-эмиттерный биполярный n-p-n (p-n-p)транзистор, первый эмиттер которого подключен соответственно к первой выходной адресной шине, а второй - ко второй выходной адресной шине, а база биполярного транзистора через резистор подключена к шине напряжения смещения, а коллектор - к шине питания. При этом данная электрическая схема реализуется в конструкции интегральной схемы, в которой функционально совмещены высоковольтный p-i-n-диод и низковольтный усиливающий ионизационный ток биполярный транзистор. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.