HEAT TREATMENT FURNACE

FIELD: metallurgy.SUBSTANCE: heat treatment furnace for semiconductor substrate includes cylindrical tubular shell, its both ends have apertures of such size that to ensure possibility of insertion and removal of the semiconductor substrates, heater, covers, each of them is detachably installed on the tubular shell, thin gas inlet branch, located at centre of the tubular shell in longitudinal direction, and thin has inlet branch passing through one cover. During continuous heat treatment that includes movement of floating troughs with semiconductor substrates, movement of the first floating trough with heat treated semiconductor substrates from one aperture of the tubular shell, and movement of second floating trough to another aperture of the tubular shell is made at the same time, when has of high degree of cleanness is removed from the thin gas inlet branch located at centre of the tubular shell in longitudinal direction.EFFECT: reduced time of waiting between batches during successive heat treatment of semiconductors, thus increasing capacity.8 cl, 10 dwg, 1 tbl Изобретение относится к печи для использования при термической обработке полупроводниковых подложек. Печь термической обработки полупроводниковых подложек включает цилиндрическую трубчатую оболочку, оба конца которой имеют проемы такого размера, чтобы обеспечить возможность введения и извлечения полупроводниковых подложек, нагреватель, крышки, каждая из которых разъемно установлена на трубчатой оболочке, тонкий газовпускной патрубок, расположенный у центра трубчатой оболочки в продольном измерении и тонкий газовпускной патрубок, проходящий сквозь одну из крышек. При непрерывной термической обработке, которая включает перемещение лодочек с полупроводниковыми подложками, перемещение первой лодочки с термообработанными полупроводниковыми подложками из одного из проемов трубчатой оболочки и перемещение второй лодочки в другой из проемов трубчатой оболочки выполняются в то же время, когда газ высокой степени чистоты вводится из тонкого газовпускного патрубка, расположенного у центра трубчатой оболочки в продольном измерении. Это снижает время ожидания между партиями в процессе последовательной термической обработки полупроводников, увеличивая тем самым производительность. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 10 ил., 1 табл.