METHOD TO CONVERT ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY

FIELD: power engineering.SUBSTANCE: method to convert energy of ionising radiation into electric energy includes manufacturing of semiconductor material made of areas with p- and n-types of conductivity in the area of p-n transition, application of layers of various metals onto the surface of the se...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH, TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH, KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA, KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH, TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH, BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH, ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH
TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH
KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA
KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH
TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH
BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH
ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH
description FIELD: power engineering.SUBSTANCE: method to convert energy of ionising radiation into electric energy includes manufacturing of semiconductor material made of areas with p- and n-types of conductivity in the area of p-n transition, application of layers of various metals onto the surface of the semiconductor material in its different areas, connection of conductors to them and impact at a semiconductor base element-converter on the basis of synthetic diamond by ionising radiation with simultaneous electricity pickup with the help of conductors, at the same time ionising radiation is represented by high-energy sources of alpha radiation with capacity of at least 0.567 W/g, and semiconductor material is synthetic diamond of p-type with boron content of 1014-1016 atoms per cm3, and on its surfaces in various areas with p- and n-types of conductivity in vacuum they apply continuous metal contacts, one of which is a three-layer system of metallisation of titanium-platinum-gold type for positive charge pickup and the other is a potential Schottky barrier - from platinum, gold or iridium for negative charge pickup, which is impacted by ionising radiation, as a result of which inside the diamond they create the area of spatial charges, the latter in the electric field fly away into negative charges, collected on the metal of the Schottky contact, and positive ones, collected on the contact from titanium-platinum-gold, and electricity is picked up from them.EFFECT: development of a method to convert ionising radiation into electric energy, having a more simple scheme to make a semiconductor structure, higher radiation resistance, longer service life of semiconductor material.3 cl, 1 tbl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию включает изготовление полупроводникового материала, состоящего из областей с р- и n-типами проводимости в области р-n перехода, нанесение на поверхность полупроводникового материала в разных его областях слоев различных металлов, присоединение к ним проводников и воздействие на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза ионизирующим излучением с одновременным снятием электричества с помощью проводников, при этом в качестве ионизирующего излучения используют высокоэнергетические источники альфа-излучения мощностью не ме
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2568958C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2568958C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2568958C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZHD2dQ3x8HdRCPFXcPb3C3MNClFw9XMNco9U8HdT8PT38wz29HNXCHJ08XQMAXIVPP2AKl19XJ1DgjydoUp5GFjTEnOKU3mhNDeDgptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8UKiRqZmFpamFs6ExEUoA3r0rXg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>METHOD TO CONVERT ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY</title><source>esp@cenet</source><creator>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH ; TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH ; KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA ; KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH ; TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH ; BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH ; ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</creator><creatorcontrib>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH ; TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH ; KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA ; KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH ; TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH ; BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH ; ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</creatorcontrib><description>FIELD: power engineering.SUBSTANCE: method to convert energy of ionising radiation into electric energy includes manufacturing of semiconductor material made of areas with p- and n-types of conductivity in the area of p-n transition, application of layers of various metals onto the surface of the semiconductor material in its different areas, connection of conductors to them and impact at a semiconductor base element-converter on the basis of synthetic diamond by ionising radiation with simultaneous electricity pickup with the help of conductors, at the same time ionising radiation is represented by high-energy sources of alpha radiation with capacity of at least 0.567 W/g, and semiconductor material is synthetic diamond of p-type with boron content of 1014-1016 atoms per cm3, and on its surfaces in various areas with p- and n-types of conductivity in vacuum they apply continuous metal contacts, one of which is a three-layer system of metallisation of titanium-platinum-gold type for positive charge pickup and the other is a potential Schottky barrier - from platinum, gold or iridium for negative charge pickup, which is impacted by ionising radiation, as a result of which inside the diamond they create the area of spatial charges, the latter in the electric field fly away into negative charges, collected on the metal of the Schottky contact, and positive ones, collected on the contact from titanium-platinum-gold, and electricity is picked up from them.EFFECT: development of a method to convert ionising radiation into electric energy, having a more simple scheme to make a semiconductor structure, higher radiation resistance, longer service life of semiconductor material.3 cl, 1 tbl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию включает изготовление полупроводникового материала, состоящего из областей с р- и n-типами проводимости в области р-n перехода, нанесение на поверхность полупроводникового материала в разных его областях слоев различных металлов, присоединение к ним проводников и воздействие на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза ионизирующим излучением с одновременным снятием электричества с помощью проводников, при этом в качестве ионизирующего излучения используют высокоэнергетические источники альфа-излучения мощностью не менее 0,567 Вт/г, а в качестве полупроводникового материала изготавливают синтетический алмаз р-типа с содержанием бора 10-10атомов на сми на его поверхностях в разных областях с р- и n-типами проводимости в вакууме наносят неразрывные металлические контакты, один из которых трехслойная система металлизации вида титан-платина-золото для съема положительного заряда и другой с потенциальным барьером Шоттки - из платины, золота или иридия для снятия отрицательного заряда, на который воздействуют ионизирующим излучением, в результате чего внутри алмаза создают область пространственных зарядов, последние в электрическом поле разлетаются на отрицательные заряды, собираемые на металле контакта Шоттки, и положительные, собираемые на контакте из титана-платины-золота, и с них снимают электричество. Техническим результатом изобретения</description><language>eng ; rus</language><subject>APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOTOTHERWISE PROVIDED FOR ; BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; NUCLEAR ENGINEERING ; NUCLEAR PHYSICS ; OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES ; PHYSICS ; REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE ; UTILISING COSMIC RADIATION</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20151120&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2568958C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,780,885,25564,76547</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20151120&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2568958C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</creatorcontrib><title>METHOD TO CONVERT ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY</title><description>FIELD: power engineering.SUBSTANCE: method to convert energy of ionising radiation into electric energy includes manufacturing of semiconductor material made of areas with p- and n-types of conductivity in the area of p-n transition, application of layers of various metals onto the surface of the semiconductor material in its different areas, connection of conductors to them and impact at a semiconductor base element-converter on the basis of synthetic diamond by ionising radiation with simultaneous electricity pickup with the help of conductors, at the same time ionising radiation is represented by high-energy sources of alpha radiation with capacity of at least 0.567 W/g, and semiconductor material is synthetic diamond of p-type with boron content of 1014-1016 atoms per cm3, and on its surfaces in various areas with p- and n-types of conductivity in vacuum they apply continuous metal contacts, one of which is a three-layer system of metallisation of titanium-platinum-gold type for positive charge pickup and the other is a potential Schottky barrier - from platinum, gold or iridium for negative charge pickup, which is impacted by ionising radiation, as a result of which inside the diamond they create the area of spatial charges, the latter in the electric field fly away into negative charges, collected on the metal of the Schottky contact, and positive ones, collected on the contact from titanium-platinum-gold, and electricity is picked up from them.EFFECT: development of a method to convert ionising radiation into electric energy, having a more simple scheme to make a semiconductor structure, higher radiation resistance, longer service life of semiconductor material.3 cl, 1 tbl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию включает изготовление полупроводникового материала, состоящего из областей с р- и n-типами проводимости в области р-n перехода, нанесение на поверхность полупроводникового материала в разных его областях слоев различных металлов, присоединение к ним проводников и воздействие на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза ионизирующим излучением с одновременным снятием электричества с помощью проводников, при этом в качестве ионизирующего излучения используют высокоэнергетические источники альфа-излучения мощностью не менее 0,567 Вт/г, а в качестве полупроводникового материала изготавливают синтетический алмаз р-типа с содержанием бора 10-10атомов на сми на его поверхностях в разных областях с р- и n-типами проводимости в вакууме наносят неразрывные металлические контакты, один из которых трехслойная система металлизации вида титан-платина-золото для съема положительного заряда и другой с потенциальным барьером Шоттки - из платины, золота или иридия для снятия отрицательного заряда, на который воздействуют ионизирующим излучением, в результате чего внутри алмаза создают область пространственных зарядов, последние в электрическом поле разлетаются на отрицательные заряды, собираемые на металле контакта Шоттки, и положительные, собираемые на контакте из титана-платины-золота, и с них снимают электричество. Техническим результатом изобретения</description><subject>APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOTOTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>NUCLEAR ENGINEERING</subject><subject>NUCLEAR PHYSICS</subject><subject>OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES</subject><subject>PHYSICS</subject><subject>REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</subject><subject>UTILISING COSMIC RADIATION</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZHD2dQ3x8HdRCPFXcPb3C3MNClFw9XMNco9U8HdT8PT38wz29HNXCHJ08XQMAXIVPP2AKl19XJ1DgjydoUp5GFjTEnOKU3mhNDeDgptriLOHbmpBfnxqcUFicmpeakl8UKiRqZmFpamFs6ExEUoA3r0rXg</recordid><startdate>20151120</startdate><enddate>20151120</enddate><creator>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH</creator><creator>TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH</creator><creator>KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA</creator><creator>KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH</creator><creator>TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH</creator><creator>BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH</creator><creator>ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20151120</creationdate><title>METHOD TO CONVERT ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY</title><author>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH ; TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH ; KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA ; KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH ; TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH ; BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH ; ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2568958C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2015</creationdate><topic>APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOTOTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</topic><topic>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</topic><topic>NUCLEAR ENGINEERING</topic><topic>NUCLEAR PHYSICS</topic><topic>OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES</topic><topic>PHYSICS</topic><topic>REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</topic><topic>TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE</topic><topic>UTILISING COSMIC RADIATION</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KASHTANOV ALEKSANDR DMITRIEVICH</au><au>TROSHCHIEV SERGEJ JUR'EVICH</au><au>KUDASHOVA EHLINA ALEKSANDROVNA</au><au>KARZOV GEORGIJ PAVLOVICH</au><au>TERENT'EV SERGEJ ALEKSANDROVICH</au><au>BLANK VLADIMIR DAVYDOVICH</au><au>ORYSHCHENKO ALEKSEJ SERGEEVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>METHOD TO CONVERT ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY</title><date>2015-11-20</date><risdate>2015</risdate><abstract>FIELD: power engineering.SUBSTANCE: method to convert energy of ionising radiation into electric energy includes manufacturing of semiconductor material made of areas with p- and n-types of conductivity in the area of p-n transition, application of layers of various metals onto the surface of the semiconductor material in its different areas, connection of conductors to them and impact at a semiconductor base element-converter on the basis of synthetic diamond by ionising radiation with simultaneous electricity pickup with the help of conductors, at the same time ionising radiation is represented by high-energy sources of alpha radiation with capacity of at least 0.567 W/g, and semiconductor material is synthetic diamond of p-type with boron content of 1014-1016 atoms per cm3, and on its surfaces in various areas with p- and n-types of conductivity in vacuum they apply continuous metal contacts, one of which is a three-layer system of metallisation of titanium-platinum-gold type for positive charge pickup and the other is a potential Schottky barrier - from platinum, gold or iridium for negative charge pickup, which is impacted by ionising radiation, as a result of which inside the diamond they create the area of spatial charges, the latter in the electric field fly away into negative charges, collected on the metal of the Schottky contact, and positive ones, collected on the contact from titanium-platinum-gold, and electricity is picked up from them.EFFECT: development of a method to convert ionising radiation into electric energy, having a more simple scheme to make a semiconductor structure, higher radiation resistance, longer service life of semiconductor material.3 cl, 1 tbl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в электронике, приборостроении и машиностроении при создании автономных устройств с большим сроком службы. Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию включает изготовление полупроводникового материала, состоящего из областей с р- и n-типами проводимости в области р-n перехода, нанесение на поверхность полупроводникового материала в разных его областях слоев различных металлов, присоединение к ним проводников и воздействие на полупроводниковый базовый элемент-преобразователь на основе синтетического алмаза ионизирующим излучением с одновременным снятием электричества с помощью проводников, при этом в качестве ионизирующего излучения используют высокоэнергетические источники альфа-излучения мощностью не менее 0,567 Вт/г, а в качестве полупроводникового материала изготавливают синтетический алмаз р-типа с содержанием бора 10-10атомов на сми на его поверхностях в разных областях с р- и n-типами проводимости в вакууме наносят неразрывные металлические контакты, один из которых трехслойная система металлизации вида титан-платина-золото для съема положительного заряда и другой с потенциальным барьером Шоттки - из платины, золота или иридия для снятия отрицательного заряда, на который воздействуют ионизирующим излучением, в результате чего внутри алмаза создают область пространственных зарядов, последние в электрическом поле разлетаются на отрицательные заряды, собираемые на металле контакта Шоттки, и положительные, собираемые на контакте из титана-платины-золота, и с них снимают электричество. Техническим результатом изобретения</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2568958C1
source esp@cenet
subjects APPLICATIONS OF RADIATION FROM RADIOACTIVE SOURCES, NOTOTHERWISE PROVIDED FOR
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC
GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS
NUCLEAR ENGINEERING
NUCLEAR PHYSICS
OBTAINING ENERGY FROM RADIOACTIVE SOURCES
PHYSICS
REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
SEMICONDUCTOR DEVICES
TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
UTILISING COSMIC RADIATION
title METHOD TO CONVERT ENERGY OF IONISING RADIATION INTO ELECTRIC ENERGY
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-03T18%3A20%3A30IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KASHTANOV%20ALEKSANDR%20DMITRIEVICH&rft.date=2015-11-20&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2568958C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true