SEMICONDUCTOR PRESSURE CONVERTER

FIELD: instrumentation.SUBSTANCE: semiconductor pressure converter comprises a membrane with a thickened peripheral base. The membrane has thickness equal to thickness of strain gauges formed on the dielectric layer fixed onto the membrane. Strain gauges are combined using conductors having metallised contact sites connected with them into a bridge measuring circuit. The membrane comprises a profile with concentrators of mechanical stresses in areas of strain gauges location, which represents a combination of thinned sections and stiff centres. Besides, the converter comprises an additionally formed layer of dielectric fixed at the membrane side opposite to the formed strain gauges, and equal in thickness and properties to the dielectric layer fixed on the membrane at the side of the strain gauges.EFFECT: increased reliability of a converter, increased strength of a membrane, higher stability of parameters at higher temperatures.1 dwg Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к преобразователям малых давлений высокотемпературных сред, и может быть использовано в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных при повышенных температурах. Полупроводниковый преобразователь давления содержит мембрану с утолщенным периферийным основанием. Мембрана имеет толщину, равную толщине тензорезисторов, сформированных на закрепленном на мембране слое диэлектрика. Тензорезисторы объединены с помощью проводников, имеющих соединенные с ними металлизированные контактные площадки, в мостовую измерительную схему. Мембрана содержит профиль с концентраторами механических напряжений в местах расположения тензорезисторов, который представляет собой сочетание утонченных участков и жестких центров. Кроме того, преобразователь содержит дополнительно сформированный слой диэлектрика, закрепленный с противоположной относительно сформированных тензорезисторов стороны мембраны и равный по толщине и свойствам слою диэлектрика, закрепленному на мембране со стороны тензорезисторов. Техническим результатом изобретения является повышение надежности преобразователя, повышение прочности мембраны и повышение стабильности параметров при повышенных температурах. 1 ил.