SEMICONDUCTOR LED DEVICE

FIELD: measurement technology.SUBSTANCE: in a semiconductor LED device, which emits through the diffusing surface of the transparent plate and having a light-generating region therein, according to the invention, a layer of transparent particles is placed on the surface of the plate as a diffuser, s...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KUZNETSOV MAKSIM VIKTOROVICH, KOCHKAREV DENIS VJACHESLAVOVICH, CHESNOKOV DMITRIJ VLADIMIROVICH, CHESNOKOV VLADIMIR VLADIMIROVICH, RAJKHERT VALERIJ ANDREEVICH, NIKULIN DMITRIJ MIKHAJLOVICH, SHERGIN SERGEJ LEONIDOVICH, LAPTEV EVGENIJ VLADIMIROVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: measurement technology.SUBSTANCE: in a semiconductor LED device, which emits through the diffusing surface of the transparent plate and having a light-generating region therein, according to the invention, a layer of transparent particles is placed on the surface of the plate as a diffuser, said layer having a refraction index greater than that of the ambient medium and a gap between the particles and the surface shorter than the wavelength.EFFECT: designing a LED with higher efficiency of outputting radiation from the crystal and simple technique for production thereof.4 cl, 4 dwg Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, устройствам полупроводниковых светодиодов. В устройстве полупроводникового светодиода, излучающего через рассеивающую поверхность прозрачной пластины и содержащего в ней светогенерирующую область, в соответствии с изобретением, на поверхности пластины в качестве рассеивателя закреплен слой прозрачных частиц с большим, чем у окружающей среды, показателем преломления и меньшим длины волны зазором между частицей и поверхностью. Изобретение обеспечивает возможность создания конструкции светодиода с увеличенной эффективностью вывода излучения из объема кристалла и возможностью его изготовления по более простой технологии. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.