APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC RADIATION
FIELD: physics.SUBSTANCE: high-speed and miniature detection system, particularly for detecting electromagnetic radiation in the gigahertz and terahertz range, has a semiconductor structure, having a two-dimensional layer of charge carriers or a quasi-two-dimensional layer of charge carriers with on...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: high-speed and miniature detection system, particularly for detecting electromagnetic radiation in the gigahertz and terahertz range, has a semiconductor structure, having a two-dimensional layer of charge carriers or a quasi-two-dimensional layer of charge carriers with one defect or multiple defects, at least first and second contacts for the charge carrier layer and a device for measuring the photoelectromotive force between the first and second contacts. Operation of the system according to different implementations is based on resonant excitation of plasma waves in the semiconductor structure.EFFECT: enabling detection of electromagnetic radiation in the gigahertz and terahertz range using a high-speed and miniature detection system.36 cl, 32 dwg
Использование: для детектирования электромагнитного излучения. Сущность: заключается в том, что быстродействующая и миниатюрная система детектирования, в частности, электромагнитного излучения в гигагерцовом и терагерцовом диапазонах содержит полупроводниковую структуру, имеющую двумерный слой носителей заряда или квазидвумерный слой носителей заряда с включенным одним дефектом или многочисленными дефектами, по меньшей мере первый и второй контакты для слоя носителей заряда и устройство для измерения фотоэлектродвижущей силы между первым и вторым контактами. Работа системы согласно различным осуществлениям основана на резонансном возбуждении плазменных волн в полупроводниковой структуре. Технический результат: обеспечение возможности детектирования электромагнитного излучения в гигагерцовом и терагерцовом диапазонах посредством быстродействующей и миниатюрной системы детектирования. 2 н. и 34 з.п. ф-лы, 32 ил. |
---|