SYSTEM TO ATTACH SEMICONDUCTOR CRYSTAL TO BODY BASE

FIELD: electricity.SUBSTANCE: system to attach a semiconductor crystal to a body base comprises a silicon crystal and a copper body, between which a buffer element is installed to form a soldered seam, at the same time the buffer element is made in the form of a net, the lower side of which represents a set of wires from copper and is arranged in the grooves of the body base. Copper wires are placed in the grooves of the body base, onto which the diamond powder is applied, the total area of diamond grains on each wire makes around 50% of its surface, and to bind diamond grains with the wire, a metal or an alloy is used, which is a coating of the body base, at the same time diamond grains protrude by 20-25 mcm above the body base, and soldering is carried out by application of ultrasonic or low-frequency oscillations to the crystal, which are directed along the grooves in the body.EFFECT: reduction of dry joints in a soldered seam and improved heat removal from a crystal to a body.2 dwg Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий, имеющих большую площадь кристаллов. Система монтажа полупроводникового кристалла к основанию корпуса содержит кремниевый кристалл и медный корпус между которыми установлен буферный элемент с образованием паяного шва, при этом буферный элемент выполнен в виде сетки, нижняя сторона которой представляет набор проволок из меди и размещается в канавках основания корпуса. В канавках основания корпуса размещают медные проволоки, на которые нанесен алмазный порошок, общая площадь алмазных зерен на каждой проволоке составляет около 50% ее поверхности, а в качестве связки алмазных зерен с проволокой используют металл или сплав, который является покрытием основания корпуса, при этом алмазные зерна выступают на 20-25 мкм над основанием корпуса, а пайку осуществляют с приложением к кристаллу ультразвуковых или низкочастотных колебаний, которые направлены вдоль канавок в корпусе. Техническим результатом изобретения является: снижение непропаев в паяном шве и улучшение теплоотвода от кристалла к корпусу. 2 ил.