FULLY OPTICAL MULTILAYER HETEROSTRUCTURE-BASED LASER RADIATION MODULATOR (VERSIONS)
FIELD: physics.SUBSTANCE: fully optical multilayer heterostructure-based laser radiation modulator has a substrate with a grown periodic multilayer heterostructure which is such that, change in the refraction index under the effect of exciting laser radiation in the active nonlinear semiconductor co...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: physics.SUBSTANCE: fully optical multilayer heterostructure-based laser radiation modulator has a substrate with a grown periodic multilayer heterostructure which is such that, change in the refraction index under the effect of exciting laser radiation in the active nonlinear semiconductor component of the heterostructure due to generation of dense electron-hole plasma causes change in intensity of the modulated incident radiation. The substrate has an optical window. The central layer of the active component of the periodic multilayer heterostructure has double the thickness of other layers of the active component of the heterostructure. The active nonlinear component of the multilayer heterostructure is selected from a group of semiconductor compounds ABor AB.EFFECT: higher efficiency and operating speed of the modulator.12 cl, 7 dwg
Устройство относится к квантовой электронике, а именно к системам для модуляции излучения лазера в заданном спектральном диапазоне. Полностью оптический модулятор лазерного излучения на основе многослойных гетероструктур содержит подложку с выращенной периодической многослойной гетероструктурой, которая изготовлена таким образом, что изменение показателя преломления под воздействием возбуждающего лазерного излучения в активном нелинейном полупроводниковом компоненте гетероструктуры за счет генерации плотной электронно-дырочной плазмы вызывает изменение интенсивности модулируемого падающего излучения. В подложке выполнено оптическое окно. Центральный слой активного компонента периодической многослойной гетероструктуры выполнен удвоенной толщины по отношению к другим слоям активного компонента гетероструктуры. Активный нелинейный компонент многослойной гетероструктуры выбран из группы полупроводниковых соединений ABили AB. Технический результат заключается в повышении эффективности и быстродействия модулятора. 4 н. и 8 з.п. ф-лы, 7 ил. |
---|