METHOD OF PRODUCING SCINTILLATION CERAMIC AND SCINTILLATOR
FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: method of producing scintillation ceramic involves monoaxial hot-pressing high-purity BaF2-ScF3 in form of a monolithic ingot, which is a hardened melt or monocrystal or powdered mixture with dopant concentration from 0.05 to 5.0 mol % at temperature 1000-1250C and pre...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , , , , , , , , , , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; rus |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Zusammenfassung: | FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: method of producing scintillation ceramic involves monoaxial hot-pressing high-purity BaF2-ScF3 in form of a monolithic ingot, which is a hardened melt or monocrystal or powdered mixture with dopant concentration from 0.05 to 5.0 mol % at temperature 1000-1250C and pressure 100-200 MPa until formation of a ceramic, and then annealing the obtained ceramic in an atmosphere of gaseous CF4. The novel ceramic is used to produce a scintillator, having a working body in form of a disc, one of the bases of which serves for receiving ionising radiation, and the other for connection with a photodetector, in which the working body is made from a transparent BaF2-ScF3 ceramic with dopant concentration of 0.05-5.0 mol %. ^ EFFECT: production of scintillator having ultrashort luminescence lifetime and high light output. ^ 5 cl
Изобретение относится к сцинтилляционной технике, а именно к быстродействующим, эффективным сцинтилляционным детекторам, предназначенным для регистрации гамма и рентгеновских квантов, и может быть использовано в медицине, промышленности, космической технике, научных исследованиях. Технический результат - создание сцинтиллятора, обладающего сверхкоротким (субнаносекундным) временем высвечивания и высоким световым выходом. Способ получения сцинтилляционной керамики включает одноосное горячее прессование высокочистого ВаF2-SсF3 в виде монолитного слитка, представляющий собой отвержденный расплав или монокристалла, или порошковой смеси с концентрацией легирующей добавки от 0,05 до 5,0 мол.% при температуре 1000°-1250°С и давлении 100-200 МПа до образования керамики и последующий отжиг полученной керамики в атмосфере газообразного CF4. На основе новой керамики изготовлен сцинтиллятор, включающий рабочее тело в форме диска, одно из оснований которого служит для приема ионизирующего излучения, а другое для соединения с фотоприемником, в котором рабочее тело выполнено из прозрачной керамики ВаF2-SсF3 с концентрацией легирующей добавки 0,05-5,0 мол. %. 2 н. и 3 з.п. ф-лы. |
---|