CONTACT SHAPING METHOD FOR NANOHETEROSTRUCTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON GALLIUM ARSENIDE
FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention can be used in production technologies of ohmic contact systems to photoelectric converters (PC) with high operating characteristics and namely the invention refers to formation of contacts to GaAs layers of n-type conductivity, which are front layers of th...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH |
| description | FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention can be used in production technologies of ohmic contact systems to photoelectric converters (PC) with high operating characteristics and namely the invention refers to formation of contacts to GaAs layers of n-type conductivity, which are front layers of the number of structures of concentrator PC, which are capable of effective conversion of incident radiation with capacity of 100-200 W/cm2. Contact formation method for nanoheterostructure of photoelectric converter involves pre-formation on surface of nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide of electron conductivity of topology of photo-sensitive areas by photolithography with the use of mask from upper photoresist layer and lower non-photosensitive resist layer, or mask from photoresist with profile of mask elements, which has broadening from surface of nanoheterostructure of photoelectric converter. Then, cleaning of mask-free surface of nanoheterostructure of photoelectric converter, subsequent sputtering of eutectic gold-germanium alloy layer 10-100 nm thick, nickel layer 10-20 nm thick and silver layer, and further removal of photresist and annealing of contact is performed. ^ EFFECT: invention provides the possibility of formation of multi-layer contact during one sputtering process of contact layers for nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide, which allows simplifying the whole contact manufacturing process. ^ 10 cl, 9 dwg
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2. Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя включает предварительное формирование на поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости топологии фоточувствительных областей фотолитографией с применением маски из верхнего слоя фоторезиста и нижнего слоя несветочувствительного резиста, или маски из фоторезиста с профилем элементов маски, имеющим уширение от пове |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2428766C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2428766C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2428766C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNyzEOgkAQQFEaC6PeYS5gIRq0XYeB3QR2yOwsLSFkrYyS4P0jhQew-s3722xC9mpQIVjTOV9DS2q5hIoFvPFsSUk4qETUKARcQWdZmRpCFYew_j3JiuBuApXAHmrTNC62YCSQdyXts81jfC7p8Osug4oU7THN7yEt8zilV_oMEvNLfrsWBZ7Of5Av94c0dg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>CONTACT SHAPING METHOD FOR NANOHETEROSTRUCTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON GALLIUM ARSENIDE</title><source>esp@cenet</source><creator>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH ; USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA ; SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH ; ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH ; LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</creator><creatorcontrib>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH ; USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA ; SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH ; ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH ; LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><description>FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention can be used in production technologies of ohmic contact systems to photoelectric converters (PC) with high operating characteristics and namely the invention refers to formation of contacts to GaAs layers of n-type conductivity, which are front layers of the number of structures of concentrator PC, which are capable of effective conversion of incident radiation with capacity of 100-200 W/cm2. Contact formation method for nanoheterostructure of photoelectric converter involves pre-formation on surface of nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide of electron conductivity of topology of photo-sensitive areas by photolithography with the use of mask from upper photoresist layer and lower non-photosensitive resist layer, or mask from photoresist with profile of mask elements, which has broadening from surface of nanoheterostructure of photoelectric converter. Then, cleaning of mask-free surface of nanoheterostructure of photoelectric converter, subsequent sputtering of eutectic gold-germanium alloy layer 10-100 nm thick, nickel layer 10-20 nm thick and silver layer, and further removal of photresist and annealing of contact is performed. ^ EFFECT: invention provides the possibility of formation of multi-layer contact during one sputtering process of contact layers for nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide, which allows simplifying the whole contact manufacturing process. ^ 10 cl, 9 dwg
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2. Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя включает предварительное формирование на поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости топологии фоточувствительных областей фотолитографией с применением маски из верхнего слоя фоторезиста и нижнего слоя несветочувствительного резиста, или маски из фоторезиста с профилем элементов маски, имеющим уширение от поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя. Затем проводят очистку свободной от маски поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя, последовательное напыление слоя эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, слоя никеля толщиной 10-20 нм и слоя серебра, последующее удаление фоторезиста и отжиг контакта. Изобретение обеспечивает возможность формирования многослойного контакта в ходе одного процесса напыления слоев контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия, что позволяет упросить весь процесс изготовления</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF ; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110910&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2428766C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110910&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2428766C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><title>CONTACT SHAPING METHOD FOR NANOHETEROSTRUCTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON GALLIUM ARSENIDE</title><description>FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention can be used in production technologies of ohmic contact systems to photoelectric converters (PC) with high operating characteristics and namely the invention refers to formation of contacts to GaAs layers of n-type conductivity, which are front layers of the number of structures of concentrator PC, which are capable of effective conversion of incident radiation with capacity of 100-200 W/cm2. Contact formation method for nanoheterostructure of photoelectric converter involves pre-formation on surface of nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide of electron conductivity of topology of photo-sensitive areas by photolithography with the use of mask from upper photoresist layer and lower non-photosensitive resist layer, or mask from photoresist with profile of mask elements, which has broadening from surface of nanoheterostructure of photoelectric converter. Then, cleaning of mask-free surface of nanoheterostructure of photoelectric converter, subsequent sputtering of eutectic gold-germanium alloy layer 10-100 nm thick, nickel layer 10-20 nm thick and silver layer, and further removal of photresist and annealing of contact is performed. ^ EFFECT: invention provides the possibility of formation of multi-layer contact during one sputtering process of contact layers for nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide, which allows simplifying the whole contact manufacturing process. ^ 10 cl, 9 dwg
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2. Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя включает предварительное формирование на поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости топологии фоточувствительных областей фотолитографией с применением маски из верхнего слоя фоторезиста и нижнего слоя несветочувствительного резиста, или маски из фоторезиста с профилем элементов маски, имеющим уширение от поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя. Затем проводят очистку свободной от маски поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя, последовательное напыление слоя эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, слоя никеля толщиной 10-20 нм и слоя серебра, последующее удаление фоторезиста и отжиг контакта. Изобретение обеспечивает возможность формирования многослойного контакта в ходе одного процесса напыления слоев контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия, что позволяет упросить весь процесс изготовления</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</subject><subject>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyzEOgkAQQFEaC6PeYS5gIRq0XYeB3QR2yOwsLSFkrYyS4P0jhQew-s3722xC9mpQIVjTOV9DS2q5hIoFvPFsSUk4qETUKARcQWdZmRpCFYew_j3JiuBuApXAHmrTNC62YCSQdyXts81jfC7p8Osug4oU7THN7yEt8zilV_oMEvNLfrsWBZ7Of5Av94c0dg</recordid><startdate>20110910</startdate><enddate>20110910</enddate><creator>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH</creator><creator>USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA</creator><creator>SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH</creator><creator>ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH</creator><creator>LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20110910</creationdate><title>CONTACT SHAPING METHOD FOR NANOHETEROSTRUCTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON GALLIUM ARSENIDE</title><author>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH ; USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA ; SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH ; ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH ; LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2428766C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</topic><topic>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>KALJUZHNYJ NIKOLAJ ALEKSANDROVICH</au><au>USIKOVA ANNA ALEKSANDROVNA</au><au>SOLDATENKOV FEDOR JUR'EVICH</au><au>ANDREEV VJACHESLAV MIKHAJLOVICH</au><au>LANTRATOV VLADIMIR MIKHAJLOVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>CONTACT SHAPING METHOD FOR NANOHETEROSTRUCTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON GALLIUM ARSENIDE</title><date>2011-09-10</date><risdate>2011</risdate><abstract>FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: invention can be used in production technologies of ohmic contact systems to photoelectric converters (PC) with high operating characteristics and namely the invention refers to formation of contacts to GaAs layers of n-type conductivity, which are front layers of the number of structures of concentrator PC, which are capable of effective conversion of incident radiation with capacity of 100-200 W/cm2. Contact formation method for nanoheterostructure of photoelectric converter involves pre-formation on surface of nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide of electron conductivity of topology of photo-sensitive areas by photolithography with the use of mask from upper photoresist layer and lower non-photosensitive resist layer, or mask from photoresist with profile of mask elements, which has broadening from surface of nanoheterostructure of photoelectric converter. Then, cleaning of mask-free surface of nanoheterostructure of photoelectric converter, subsequent sputtering of eutectic gold-germanium alloy layer 10-100 nm thick, nickel layer 10-20 nm thick and silver layer, and further removal of photresist and annealing of contact is performed. ^ EFFECT: invention provides the possibility of formation of multi-layer contact during one sputtering process of contact layers for nanoheterostructure of photoelectric converter based on gallium arsenide, which allows simplifying the whole contact manufacturing process. ^ 10 cl, 9 dwg
Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2. Способ формирования контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя включает предварительное формирование на поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия электронной проводимости топологии фоточувствительных областей фотолитографией с применением маски из верхнего слоя фоторезиста и нижнего слоя несветочувствительного резиста, или маски из фоторезиста с профилем элементов маски, имеющим уширение от поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя. Затем проводят очистку свободной от маски поверхности наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя, последовательное напыление слоя эвтектического сплава золота с германием толщиной 10-100 нм, слоя никеля толщиной 10-20 нм и слоя серебра, последующее удаление фоторезиста и отжиг контакта. Изобретение обеспечивает возможность формирования многослойного контакта в ходе одного процесса напыления слоев контакта для наногетероструктуры фотоэлектрического преобразователя на основе арсенида галлия, что позволяет упросить весь процесс изготовления</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2428766C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING |
| title | CONTACT SHAPING METHOD FOR NANOHETEROSTRUCTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERTER BASED ON GALLIUM ARSENIDE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-31T15%3A26%3A08IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=KALJUZHNYJ%20NIKOLAJ%20ALEKSANDROVICH&rft.date=2011-09-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2428766C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |