PROCEDURE FOR FORMING LAYER OF POLY-CRYSTALLINE SILICON ON CORE BASE

FIELD: metallurgy. ^ SUBSTANCE: procedure is performed in reactor and consists in hydrogen reduction of mixture of chlorine-silane with thermal decomposition of silane, in sedimentation to required thickness of layer of poly-crystal silicon on core base heated to 1100-1200C. Also, poly-crystal silicon is settled first on the silicon core for obtaining a layer of thickness about 2 mm. Further, surface of this layer is polarised by application of positive potential 8-10 V to it relative to the base and a loose layer of polycrystalline silicon of 1.5-2.0 mm thickness is settled, where upon polarisation potential is switched off and sedimentation of polycrystalline silicon is proceeded for obtaining a layer of required thickness. ^ EFFECT: simplified process of removal of layer of polycrystalline silicon settled on core base. ^ 1 dwg Изобретение относится к хлорсилановой технологии получения поликристаллического кремния и может быть использовано в производстве полупроводниковых материалов и электронных приборов. Способ осуществляют в реакторе путем водородного восстановления смеси хлорсиланов с термическим разложением силана и осаждения до необходимой толщины слоя поликристаллического кремния на нагретую до 1100-1200°С стержневую основу, при этом на кремниевую стержневую основу сначала осаждают поликристаллический кремний до получения слоя толщиной около 2 мм, затем поверхность этого слоя поляризуют приложением к ней положительного потенциала 8-10 В относительно основы и осаждают рыхлый слой поликристаллического кремния толщиной 1,5-2,0 мм, после чего поляризационный потенциал отключают и продолжают осаждение поликристаллического кремния до получения слоя необходимой толщины. Изобретение направлено на упрощение процесса снятия осажденного на стержневую основу слоя поликристаллического кремния. 1 ил.