DIODE BASED ON SINGLE-SHIFT CARBON NANOTUBE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE
FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: diode based on a single-shift carbon nanotube includes a single single-wall carbon nanotube which contains modifying substances. The nanotubes has two parts, the first part having one type of conductivity, and the other having another type of conductivity different fro...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA KHATCHISON DZHON KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH |
| description | FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: diode based on a single-shift carbon nanotube includes a single single-wall carbon nanotube which contains modifying substances. The nanotubes has two parts, the first part having one type of conductivity, and the other having another type of conductivity different from the first. The diode has metal contacts. The method of making the diode based on a single-wall carbon nanotube involves synthesis of one-wall carbon nanotubes, coating the inner channel of single-wall carbon nanotubes, filling the inner channel of single-wall nanotubes with a substance, crystallisation of the substance in the inner channel of the single-wall carbon nanotubes, removing the crystal fragment from half of the carbon nanotubes and depositing contacts. ^ EFFECT: obtaining a nano-composite of a single-wall carbon nanotubes - incorporated inorganic compound, in which part of the nanotubes is filled and the other part remains empty. ^ 12 cl, 2 dwg
Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содержит металлические контакты. Способ изготовления диода на основе одностенной углеродной нанотрубки включает синтез одностенных углеродных нанотрубок, открытие внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок, заполнение внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок веществом, кристаллизацию вещества во внутреннем канале одностенных углеродных нанотрубок, удаление фрагмента кристалла из половины углеродной нанотрубки и нанесения контактов. Изобретение обеспечивает получение нанокомпозита «одностенная углеродная нанотрубка - внедренное неорганическое соединение», в котором часть нанотрубки заполнена, а часть остается пустой. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2414768C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2414768C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2414768C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZPB28fR3cVVwcgx2dVHw91MI9vRz93HVDfbwdAtRcHYMcgKK-Tn6-YeEOrkqOPq5KPi6hnj4A5W6Kfg6egMVKwQ7eroogE3hYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGJoYm5mYWzobGRCgBANcMLKc</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>DIODE BASED ON SINGLE-SHIFT CARBON NANOTUBE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE</title><source>esp@cenet</source><creator>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH ; KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA ; KHATCHISON DZHON ; KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH ; ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH ; VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH ; KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</creator><creatorcontrib>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH ; KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA ; KHATCHISON DZHON ; KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH ; ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH ; VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH ; KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</creatorcontrib><description>FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: diode based on a single-shift carbon nanotube includes a single single-wall carbon nanotube which contains modifying substances. The nanotubes has two parts, the first part having one type of conductivity, and the other having another type of conductivity different from the first. The diode has metal contacts. The method of making the diode based on a single-wall carbon nanotube involves synthesis of one-wall carbon nanotubes, coating the inner channel of single-wall carbon nanotubes, filling the inner channel of single-wall nanotubes with a substance, crystallisation of the substance in the inner channel of the single-wall carbon nanotubes, removing the crystal fragment from half of the carbon nanotubes and depositing contacts. ^ EFFECT: obtaining a nano-composite of a single-wall carbon nanotubes - incorporated inorganic compound, in which part of the nanotubes is filled and the other part remains empty. ^ 12 cl, 2 dwg
Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содержит металлические контакты. Способ изготовления диода на основе одностенной углеродной нанотрубки включает синтез одностенных углеродных нанотрубок, открытие внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок, заполнение внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок веществом, кристаллизацию вещества во внутреннем канале одностенных углеродных нанотрубок, удаление фрагмента кристалла из половины углеродной нанотрубки и нанесения контактов. Изобретение обеспечивает получение нанокомпозита «одностенная углеродная нанотрубка - внедренное неорганическое соединение», в котором часть нанотрубки заполнена, а часть остается пустой. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF ; NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS ; NANOTECHNOLOGY ; PERFORMING OPERATIONS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TRANSPORTING</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110320&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2414768C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110320&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2414768C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KHATCHISON DZHON</creatorcontrib><creatorcontrib>KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</creatorcontrib><title>DIODE BASED ON SINGLE-SHIFT CARBON NANOTUBE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE</title><description>FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: diode based on a single-shift carbon nanotube includes a single single-wall carbon nanotube which contains modifying substances. The nanotubes has two parts, the first part having one type of conductivity, and the other having another type of conductivity different from the first. The diode has metal contacts. The method of making the diode based on a single-wall carbon nanotube involves synthesis of one-wall carbon nanotubes, coating the inner channel of single-wall carbon nanotubes, filling the inner channel of single-wall nanotubes with a substance, crystallisation of the substance in the inner channel of the single-wall carbon nanotubes, removing the crystal fragment from half of the carbon nanotubes and depositing contacts. ^ EFFECT: obtaining a nano-composite of a single-wall carbon nanotubes - incorporated inorganic compound, in which part of the nanotubes is filled and the other part remains empty. ^ 12 cl, 2 dwg
Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содержит металлические контакты. Способ изготовления диода на основе одностенной углеродной нанотрубки включает синтез одностенных углеродных нанотрубок, открытие внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок, заполнение внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок веществом, кристаллизацию вещества во внутреннем канале одностенных углеродных нанотрубок, удаление фрагмента кристалла из половины углеродной нанотрубки и нанесения контактов. Изобретение обеспечивает получение нанокомпозита «одностенная углеродная нанотрубка - внедренное неорганическое соединение», в котором часть нанотрубки заполнена, а часть остается пустой. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</subject><subject>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</subject><subject>NANOTECHNOLOGY</subject><subject>PERFORMING OPERATIONS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TRANSPORTING</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZPB28fR3cVVwcgx2dVHw91MI9vRz93HVDfbwdAtRcHYMcgKK-Tn6-YeEOrkqOPq5KPi6hnj4A5W6Kfg6egMVKwQ7eroogE3hYWBNS8wpTuWF0twMCm6uIc4euqkF-fGpxQWJyal5qSXxQaFGJoYm5mYWzobGRCgBANcMLKc</recordid><startdate>20110320</startdate><enddate>20110320</enddate><creator>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH</creator><creator>KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA</creator><creator>KHATCHISON DZHON</creator><creator>KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH</creator><creator>ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH</creator><creator>VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH</creator><creator>KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20110320</creationdate><title>DIODE BASED ON SINGLE-SHIFT CARBON NANOTUBE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE</title><author>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH ; KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA ; KHATCHISON DZHON ; KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH ; ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH ; VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH ; KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2414768C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF</topic><topic>NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS</topic><topic>NANOTECHNOLOGY</topic><topic>PERFORMING OPERATIONS</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><topic>TRANSPORTING</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KHATCHISON DZHON</creatorcontrib><creatorcontrib>KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>VERBITSKIJ NIKOLAJ IVANOVICH</au><au>KURSHEVA VERA VLADIMIROVNA</au><au>KHATCHISON DZHON</au><au>KISELEV NIKOLAJ ANDREEVICH</au><au>ELISEEV ANDREJ ANATOL'EVICH</au><au>VJACHESLAVOV ALEKSANDR SERGEEVICH</au><au>KUMSKOV ANDREJ SERGEEVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>DIODE BASED ON SINGLE-SHIFT CARBON NANOTUBE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE</title><date>2011-03-20</date><risdate>2011</risdate><abstract>FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: diode based on a single-shift carbon nanotube includes a single single-wall carbon nanotube which contains modifying substances. The nanotubes has two parts, the first part having one type of conductivity, and the other having another type of conductivity different from the first. The diode has metal contacts. The method of making the diode based on a single-wall carbon nanotube involves synthesis of one-wall carbon nanotubes, coating the inner channel of single-wall carbon nanotubes, filling the inner channel of single-wall nanotubes with a substance, crystallisation of the substance in the inner channel of the single-wall carbon nanotubes, removing the crystal fragment from half of the carbon nanotubes and depositing contacts. ^ EFFECT: obtaining a nano-composite of a single-wall carbon nanotubes - incorporated inorganic compound, in which part of the nanotubes is filled and the other part remains empty. ^ 12 cl, 2 dwg
Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содержит металлические контакты. Способ изготовления диода на основе одностенной углеродной нанотрубки включает синтез одностенных углеродных нанотрубок, открытие внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок, заполнение внутреннего канала одностенных углеродных нанотрубок веществом, кристаллизацию вещества во внутреннем канале одностенных углеродных нанотрубок, удаление фрагмента кристалла из половины углеродной нанотрубки и нанесения контактов. Изобретение обеспечивает получение нанокомпозита «одностенная углеродная нанотрубка - внедренное неорганическое соединение», в котором часть нанотрубки заполнена, а часть остается пустой. 2 н. и 10 з.п. ф-лы, 2 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2414768C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS,MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES ASDISCRETE UNITS NANOTECHNOLOGY PERFORMING OPERATIONS SEMICONDUCTOR DEVICES TRANSPORTING |
| title | DIODE BASED ON SINGLE-SHIFT CARBON NANOTUBE AND METHOD OF MAKING SAID DIODE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-02T20%3A24%3A14IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=VERBITSKIJ%20NIKOLAJ%20IVANOVICH&rft.date=2011-03-20&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2414768C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |