MULTIFUNCTIONAL MICROWAVE DEVICE
FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: multifunctional microwave device, comprising two transfer lines with identical wave resistances, one of which is intended for input of microwave signal, the other one - for output, two identical reservoirs. At the same time one end of the first reservoir is connected...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; rus |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | GULARJAN ANAIT KIMOVNA BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA |
| description | FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: multifunctional microwave device, comprising two transfer lines with identical wave resistances, one of which is intended for input of microwave signal, the other one - for output, two identical reservoirs. At the same time one end of the first reservoir is connected to end of transfer line at the input, the other end - to gate of field transistor with Schottky barrier and one end of resistor, the other end of resistor is connected to one end of the first inductance, one end of the second reservoir is connected to transfer line at the output, and the other one - to drain of field transistor with Schottky barrier, via the second inductance constant positive voltage is sent to this drain, is equipped with the second field transistor with Schottky barrier and two inductances - third and fourth ones. Drains of both field transistors with Schottky barrier are connected to each other. Source of the second field transistor with Schottky barrier is connected to the other end of the first inductance, and its gate is connected to source of permanent control voltage. One end of third inductance is connected to the other end of the first reservoir, and its other end is grounded. One end of fourth inductance is connected to source of the first field transistor with Schottky barrier, and its other end is grounded. ^ EFFECT: expansion of functional capabilities, with preservation of working frequency range. ^ 2 cl, 7 dwg
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей при сохранении рабочего диапазона частот. Технический результат достигается за счет того, что многофункциональное устройство СВЧ, содержащее две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна из которых предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, две одинаковые емкости, при этом один конец первой емкости соединен с концом линии передачи на входе, другой конец - с затвором полевого транзистора с барьером Шотки и с одним концом резистора, другой конец резистора соединен с одним концом первой индуктивности, один конец второй емкости соединен с линией передачи на выходе, а другой - со стоком полевого транзистора с барьером Шотки, на этот сток через вторую индуктивность подают постоянное положительное напряжение, снабжено вторым полевым транзистором с барьером Шотки и двумя индуктивностями - третьей и четвертой. Стоки обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между соб |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2411633C1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2411633C1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2411633C13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZFDwDfUJ8XQL9XMO8fT3c_RR8PV0DvIPdwxzVXBxDfN0duVhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUYmhoZmxsbOhsZEKAEA1S0h2g</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>MULTIFUNCTIONAL MICROWAVE DEVICE</title><source>esp@cenet</source><creator>GULARJAN ANAIT KIMOVNA ; BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH ; FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA ; MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH ; SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA ; KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH ; NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</creator><creatorcontrib>GULARJAN ANAIT KIMOVNA ; BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH ; FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA ; MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH ; SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA ; KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH ; NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</creatorcontrib><description>FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: multifunctional microwave device, comprising two transfer lines with identical wave resistances, one of which is intended for input of microwave signal, the other one - for output, two identical reservoirs. At the same time one end of the first reservoir is connected to end of transfer line at the input, the other end - to gate of field transistor with Schottky barrier and one end of resistor, the other end of resistor is connected to one end of the first inductance, one end of the second reservoir is connected to transfer line at the output, and the other one - to drain of field transistor with Schottky barrier, via the second inductance constant positive voltage is sent to this drain, is equipped with the second field transistor with Schottky barrier and two inductances - third and fourth ones. Drains of both field transistors with Schottky barrier are connected to each other. Source of the second field transistor with Schottky barrier is connected to the other end of the first inductance, and its gate is connected to source of permanent control voltage. One end of third inductance is connected to the other end of the first reservoir, and its other end is grounded. One end of fourth inductance is connected to source of the first field transistor with Schottky barrier, and its other end is grounded. ^ EFFECT: expansion of functional capabilities, with preservation of working frequency range. ^ 2 cl, 7 dwg
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей при сохранении рабочего диапазона частот. Технический результат достигается за счет того, что многофункциональное устройство СВЧ, содержащее две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна из которых предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, две одинаковые емкости, при этом один конец первой емкости соединен с концом линии передачи на входе, другой конец - с затвором полевого транзистора с барьером Шотки и с одним концом резистора, другой конец резистора соединен с одним концом первой индуктивности, один конец второй емкости соединен с линией передачи на выходе, а другой - со стоком полевого транзистора с барьером Шотки, на этот сток через вторую индуктивность подают постоянное положительное напряжение, снабжено вторым полевым транзистором с барьером Шотки и двумя индуктивностями - третьей и четвертой. Стоки обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой. Исток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с другим концом первой индуктивности, а его затвор соединен с источником постоянного управляющего напряжения. Один конец третей индуктивности соединен с другим концом первой емкости, а другой ее конец заземлен. Один конец четвертой индуктивности соединен с истоком первого полевого транзистора с барьером Шотки, а ее другой конец заземлен. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ; ELECTRICITY ; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS ; GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING,BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN ANON-SWITCHING MANNER</subject><creationdate>2011</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110210&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2411633C1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20110210&DB=EPODOC&CC=RU&NR=2411633C1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GULARJAN ANAIT KIMOVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</creatorcontrib><title>MULTIFUNCTIONAL MICROWAVE DEVICE</title><description>FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: multifunctional microwave device, comprising two transfer lines with identical wave resistances, one of which is intended for input of microwave signal, the other one - for output, two identical reservoirs. At the same time one end of the first reservoir is connected to end of transfer line at the input, the other end - to gate of field transistor with Schottky barrier and one end of resistor, the other end of resistor is connected to one end of the first inductance, one end of the second reservoir is connected to transfer line at the output, and the other one - to drain of field transistor with Schottky barrier, via the second inductance constant positive voltage is sent to this drain, is equipped with the second field transistor with Schottky barrier and two inductances - third and fourth ones. Drains of both field transistors with Schottky barrier are connected to each other. Source of the second field transistor with Schottky barrier is connected to the other end of the first inductance, and its gate is connected to source of permanent control voltage. One end of third inductance is connected to the other end of the first reservoir, and its other end is grounded. One end of fourth inductance is connected to source of the first field transistor with Schottky barrier, and its other end is grounded. ^ EFFECT: expansion of functional capabilities, with preservation of working frequency range. ^ 2 cl, 7 dwg
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей при сохранении рабочего диапазона частот. Технический результат достигается за счет того, что многофункциональное устройство СВЧ, содержащее две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна из которых предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, две одинаковые емкости, при этом один конец первой емкости соединен с концом линии передачи на входе, другой конец - с затвором полевого транзистора с барьером Шотки и с одним концом резистора, другой конец резистора соединен с одним концом первой индуктивности, один конец второй емкости соединен с линией передачи на выходе, а другой - со стоком полевого транзистора с барьером Шотки, на этот сток через вторую индуктивность подают постоянное положительное напряжение, снабжено вторым полевым транзистором с барьером Шотки и двумя индуктивностями - третьей и четвертой. Стоки обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой. Исток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с другим концом первой индуктивности, а его затвор соединен с источником постоянного управляющего напряжения. Один конец третей индуктивности соединен с другим концом первой емкости, а другой ее конец заземлен. Один конец четвертой индуктивности соединен с истоком первого полевого транзистора с барьером Шотки, а ее другой конец заземлен. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.</description><subject>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS</subject><subject>GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING,BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN ANON-SWITCHING MANNER</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2011</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZFDwDfUJ8XQL9XMO8fT3c_RR8PV0DvIPdwxzVXBxDfN0duVhYE1LzClO5YXS3AwKbq4hzh66qQX58anFBYnJqXmpJfFBoUYmhoZmxsbOhsZEKAEA1S0h2g</recordid><startdate>20110210</startdate><enddate>20110210</enddate><creator>GULARJAN ANAIT KIMOVNA</creator><creator>BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH</creator><creator>FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA</creator><creator>MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH</creator><creator>SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA</creator><creator>KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH</creator><creator>NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20110210</creationdate><title>MULTIFUNCTIONAL MICROWAVE DEVICE</title><author>GULARJAN ANAIT KIMOVNA ; BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH ; FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA ; MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH ; SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA ; KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH ; NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2411633C13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2011</creationdate><topic>BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS</topic><topic>GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING,BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN ANON-SWITCHING MANNER</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>GULARJAN ANAIT KIMOVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA</creatorcontrib><creatorcontrib>KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>GULARJAN ANAIT KIMOVNA</au><au>BALYKO ALEKSANDR KARPOVICH</au><au>FETISOVA NATAL'JA ALEKSANDROVNA</au><au>MJAKIN'KOV VITALIJ JUR'EVICH</au><au>SAVEL'EVA LJUDMILA GENNAD'EVNA</au><au>KOROLEV ALEKSANDR NIKOLAEVICH</au><au>NIKITINA LJUDMILA VLADIMIROVNA</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>MULTIFUNCTIONAL MICROWAVE DEVICE</title><date>2011-02-10</date><risdate>2011</risdate><abstract>FIELD: electricity. ^ SUBSTANCE: multifunctional microwave device, comprising two transfer lines with identical wave resistances, one of which is intended for input of microwave signal, the other one - for output, two identical reservoirs. At the same time one end of the first reservoir is connected to end of transfer line at the input, the other end - to gate of field transistor with Schottky barrier and one end of resistor, the other end of resistor is connected to one end of the first inductance, one end of the second reservoir is connected to transfer line at the output, and the other one - to drain of field transistor with Schottky barrier, via the second inductance constant positive voltage is sent to this drain, is equipped with the second field transistor with Schottky barrier and two inductances - third and fourth ones. Drains of both field transistors with Schottky barrier are connected to each other. Source of the second field transistor with Schottky barrier is connected to the other end of the first inductance, and its gate is connected to source of permanent control voltage. One end of third inductance is connected to the other end of the first reservoir, and its other end is grounded. One end of fourth inductance is connected to source of the first field transistor with Schottky barrier, and its other end is grounded. ^ EFFECT: expansion of functional capabilities, with preservation of working frequency range. ^ 2 cl, 7 dwg
Изобретение относится к электронной технике СВЧ. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей при сохранении рабочего диапазона частот. Технический результат достигается за счет того, что многофункциональное устройство СВЧ, содержащее две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна из которых предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, две одинаковые емкости, при этом один конец первой емкости соединен с концом линии передачи на входе, другой конец - с затвором полевого транзистора с барьером Шотки и с одним концом резистора, другой конец резистора соединен с одним концом первой индуктивности, один конец второй емкости соединен с линией передачи на выходе, а другой - со стоком полевого транзистора с барьером Шотки, на этот сток через вторую индуктивность подают постоянное положительное напряжение, снабжено вторым полевым транзистором с барьером Шотки и двумя индуктивностями - третьей и четвертой. Стоки обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой. Исток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с другим концом первой индуктивности, а его затвор соединен с источником постоянного управляющего напряжения. Один конец третей индуктивности соединен с другим концом первой емкости, а другой ее конец заземлен. Один конец четвертой индуктивности соединен с истоком первого полевого транзистора с барьером Шотки, а ее другой конец заземлен. 1 з.п. ф-лы, 7 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | eng ; rus |
| recordid | cdi_epo_espacenet_RU2411633C1 |
| source | esp@cenet |
| subjects | BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY ELECTRICITY GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING,BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN ANON-SWITCHING MANNER |
| title | MULTIFUNCTIONAL MICROWAVE DEVICE |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-12T06%3A43%3A04IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=GULARJAN%20ANAIT%20KIMOVNA&rft.date=2011-02-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2411633C1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |