MICROWAVE SIGNAL INTEGRATED ATTENUATOR

FIELD: physics. ^ SUBSTANCE: invention can be used in integrated microwave electronics for ground-, air- and space-based equipment; when designing fixed and analogue attenuators of microwave signals, balancing channels of electronic equipment, matching impedances of interstage microwave circuits, electronic antennae of switches, automated radio control systems controlled by a computer or a microcontroller, pulse modulators, as well as in generating signals with composite types of modulation. The attenuator uses a membrane made from a diamond film as a control element. Thickness of the film is between 30 and 500 nm. A microstrip line is made from nickel and has thickness between 10 and 100 nm. The attenuator also has a UV radiation source which is directed from the side of the substrate through a hole in the substrate perpendicular the surface of the diamond film. A microwave signal cannot pass from the input to the output of the microstrip line. ^ EFFECT: improved functional characteristics, wider dynamic range of controlling signal power, high-speed operation, reduced loss and overall dimensions. ^ 1 dwg, 1 tbl, 5 ex Изобретение относится к области нанотехнологии и может быть использовано в интегральной СВЧ электронике для аппаратуры наземного, воздушного и космического базирования; при создании фиксированных и аналоговых ослабителей мощности СВЧ сигналов, балансировки каналов электронной аппаратуры, согласования импендансов в межкаскадных СВЧ цепях, электронных антенных коммутаторов, автоматизированных комплексов радиоконтроля, управляемых компьютером или микроконтроллером, импульсных модуляторов, а также формирования сигналов со сложными видами модуляции. В аттенюаторе используют мембрану из алмазной пленки в качестве управляющего элемента. Толщина пленки составляет от 30 до 500 нм, микрополосковая линия (МПЛ) выполнена из никеля толщиной от 10 нм до 100 нм. Аттенюатор дополнен источником УФ излучения, который направлен со стороны подложки через отверстие в ней перпендикулярно поверхности алмазной пленки. Увеличение интенсивности УФ излучения вызывает уменьшение омического сопротивления алмазной пленки, в МПЛ создается режим, близкий к короткому замыканию, что приводит к возрастанию поглощаемой мощности СВЧ сигнала в МПЛ и препятствует прохождению СВЧ сигнала с входа на выход МПЛ. Техническим результатом является улучшение функциональных параметров, расширение динамического диапазона регулировки мощности сигнала, быстродействия, снижение потерь, снижени