POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS

FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involve...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH, MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH, GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH, GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH, PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH, BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH, GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH, LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
container_end_page
container_issue
container_start_page
container_title
container_volume
creator REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH
MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH
GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH
GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH
PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH
BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH
GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH
LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH
description FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involves grading as containing trichlorosilane delivered to the process top. Distillation residue containing polysilane chlorides 5 - 10% and 90 - 95% silicon tetrachloride is delivered to hydrogenation in a hydrogenation reactor to produce trichlorosilane reduced to silicon with increasing process temperature to 1100 - 1200C and specified molar ratio of hydrogen to chlorosilanes as (6-12):1. The prepared exhaust gas-vapour mixture is cooled to produce silicon tetrachloride and trichlorosilane thereafter delivered back to the silicone process stage. ^ EFFECT: cost reduction of polycrystalline silicon process due to trichlorosilane generation in hydrogenation of waste silicon tetrachloride and polysilane chlorides. ^ 3 cl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Поликристаллический кремний получают водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевых стержнях. Отходящую парогазовую смесь подвергают конденсации с рециркуляцией водорода после абсорбционной очистки. Конденсацию ведут с отбором фракции, содержащей трихлорсилан, которую направляют в голову процесса. Кубовый остаток, содержащий 5-10% полисиланхлоридов и 90-95% тетрахлорида кремния, передают на гидрирование в реактор гидрирования с получением трихлорсилана и его восстановление до кремния, при этом увеличивают температуру процесса до 1100-1200°С и устанавливают мольное отношение водорода к хлорсиланам (6-12):1. Полученную отходящую парогазовую смесь охлаждают с получением конденсата тетрахлорида кремния и трихлорсилана, который после переработки возвращают на стадию получения кремния. Предложенное изобретение позволяет снизить себестоимость получения поликристаллического кремния за счет образования трихлорсилана при гидрировании отходов - тетрахлорида кремния и полисиланхлоридов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_RU2357923C2</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>RU2357923C2</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_RU2357923C23</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZJAP8PeJdA6KDA5x9PHx9HNVCPb08XT291MICPJ3dg0O5mFgTUvMKU7lhdLcDApuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8UGhRsam5pZGxs5GxkQoAQDFiCHU</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS</title><source>esp@cenet</source><creator>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH ; MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH ; GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH ; GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH ; PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH ; BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH ; GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH ; LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</creator><creatorcontrib>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH ; MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH ; GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH ; GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH ; PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH ; BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH ; GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH ; LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</creatorcontrib><description>FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involves grading as containing trichlorosilane delivered to the process top. Distillation residue containing polysilane chlorides 5 - 10% and 90 - 95% silicon tetrachloride is delivered to hydrogenation in a hydrogenation reactor to produce trichlorosilane reduced to silicon with increasing process temperature to 1100 - 1200C and specified molar ratio of hydrogen to chlorosilanes as (6-12):1. The prepared exhaust gas-vapour mixture is cooled to produce silicon tetrachloride and trichlorosilane thereafter delivered back to the silicone process stage. ^ EFFECT: cost reduction of polycrystalline silicon process due to trichlorosilane generation in hydrogenation of waste silicon tetrachloride and polysilane chlorides. ^ 3 cl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Поликристаллический кремний получают водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевых стержнях. Отходящую парогазовую смесь подвергают конденсации с рециркуляцией водорода после абсорбционной очистки. Конденсацию ведут с отбором фракции, содержащей трихлорсилан, которую направляют в голову процесса. Кубовый остаток, содержащий 5-10% полисиланхлоридов и 90-95% тетрахлорида кремния, передают на гидрирование в реактор гидрирования с получением трихлорсилана и его восстановление до кремния, при этом увеличивают температуру процесса до 1100-1200°С и устанавливают мольное отношение водорода к хлорсиланам (6-12):1. Полученную отходящую парогазовую смесь охлаждают с получением конденсата тетрахлорида кремния и трихлорсилана, который после переработки возвращают на стадию получения кремния. Предложенное изобретение позволяет снизить себестоимость получения поликристаллического кремния за счет образования трихлорсилана при гидрировании отходов - тетрахлорида кремния и полисиланхлоридов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.</description><language>eng ; rus</language><subject>CHEMISTRY ; COMPOUNDS THEREOF ; INORGANIC CHEMISTRY ; METALLURGY ; NON-METALLIC ELEMENTS</subject><creationdate>2009</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090610&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2357923C2$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,309,781,886,25569,76552</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20090610&amp;DB=EPODOC&amp;CC=RU&amp;NR=2357923C2$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</creatorcontrib><title>POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS</title><description>FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involves grading as containing trichlorosilane delivered to the process top. Distillation residue containing polysilane chlorides 5 - 10% and 90 - 95% silicon tetrachloride is delivered to hydrogenation in a hydrogenation reactor to produce trichlorosilane reduced to silicon with increasing process temperature to 1100 - 1200C and specified molar ratio of hydrogen to chlorosilanes as (6-12):1. The prepared exhaust gas-vapour mixture is cooled to produce silicon tetrachloride and trichlorosilane thereafter delivered back to the silicone process stage. ^ EFFECT: cost reduction of polycrystalline silicon process due to trichlorosilane generation in hydrogenation of waste silicon tetrachloride and polysilane chlorides. ^ 3 cl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Поликристаллический кремний получают водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевых стержнях. Отходящую парогазовую смесь подвергают конденсации с рециркуляцией водорода после абсорбционной очистки. Конденсацию ведут с отбором фракции, содержащей трихлорсилан, которую направляют в голову процесса. Кубовый остаток, содержащий 5-10% полисиланхлоридов и 90-95% тетрахлорида кремния, передают на гидрирование в реактор гидрирования с получением трихлорсилана и его восстановление до кремния, при этом увеличивают температуру процесса до 1100-1200°С и устанавливают мольное отношение водорода к хлорсиланам (6-12):1. Полученную отходящую парогазовую смесь охлаждают с получением конденсата тетрахлорида кремния и трихлорсилана, который после переработки возвращают на стадию получения кремния. Предложенное изобретение позволяет снизить себестоимость получения поликристаллического кремния за счет образования трихлорсилана при гидрировании отходов - тетрахлорида кремния и полисиланхлоридов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.</description><subject>CHEMISTRY</subject><subject>COMPOUNDS THEREOF</subject><subject>INORGANIC CHEMISTRY</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>NON-METALLIC ELEMENTS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2009</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZJAP8PeJdA6KDA5x9PHx9HNVCPb08XT291MICPJ3dg0O5mFgTUvMKU7lhdLcDApuriHOHrqpBfnxqcUFicmpeakl8UGhRsam5pZGxs5GxkQoAQDFiCHU</recordid><startdate>20090610</startdate><enddate>20090610</enddate><creator>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH</creator><creator>MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH</creator><creator>GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH</creator><creator>GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH</creator><creator>PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH</creator><creator>BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH</creator><creator>GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH</creator><creator>LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20090610</creationdate><title>POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS</title><author>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH ; MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH ; GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH ; GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH ; PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH ; BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH ; GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH ; LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_RU2357923C23</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; rus</language><creationdate>2009</creationdate><topic>CHEMISTRY</topic><topic>COMPOUNDS THEREOF</topic><topic>INORGANIC CHEMISTRY</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>NON-METALLIC ELEMENTS</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH</creatorcontrib><creatorcontrib>LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH</au><au>MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH</au><au>GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH</au><au>GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH</au><au>PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH</au><au>BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH</au><au>GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH</au><au>LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS</title><date>2009-06-10</date><risdate>2009</risdate><abstract>FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involves grading as containing trichlorosilane delivered to the process top. Distillation residue containing polysilane chlorides 5 - 10% and 90 - 95% silicon tetrachloride is delivered to hydrogenation in a hydrogenation reactor to produce trichlorosilane reduced to silicon with increasing process temperature to 1100 - 1200C and specified molar ratio of hydrogen to chlorosilanes as (6-12):1. The prepared exhaust gas-vapour mixture is cooled to produce silicon tetrachloride and trichlorosilane thereafter delivered back to the silicone process stage. ^ EFFECT: cost reduction of polycrystalline silicon process due to trichlorosilane generation in hydrogenation of waste silicon tetrachloride and polysilane chlorides. ^ 3 cl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Поликристаллический кремний получают водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевых стержнях. Отходящую парогазовую смесь подвергают конденсации с рециркуляцией водорода после абсорбционной очистки. Конденсацию ведут с отбором фракции, содержащей трихлорсилан, которую направляют в голову процесса. Кубовый остаток, содержащий 5-10% полисиланхлоридов и 90-95% тетрахлорида кремния, передают на гидрирование в реактор гидрирования с получением трихлорсилана и его восстановление до кремния, при этом увеличивают температуру процесса до 1100-1200°С и устанавливают мольное отношение водорода к хлорсиланам (6-12):1. Полученную отходящую парогазовую смесь охлаждают с получением конденсата тетрахлорида кремния и трихлорсилана, который после переработки возвращают на стадию получения кремния. Предложенное изобретение позволяет снизить себестоимость получения поликристаллического кремния за счет образования трихлорсилана при гидрировании отходов - тетрахлорида кремния и полисиланхлоридов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; rus
recordid cdi_epo_espacenet_RU2357923C2
source esp@cenet
subjects CHEMISTRY
COMPOUNDS THEREOF
INORGANIC CHEMISTRY
METALLURGY
NON-METALLIC ELEMENTS
title POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2024-12-14T15%3A12%3A01IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=REVENKO%20JURIJ%20ALEKSANDROVICH&rft.date=2009-06-10&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3ERU2357923C2%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true