POLYCRYSTALLINE SILICON PROCESS

FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involve...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: REVENKO JURIJ ALEKSANDROVICH, MURAVITSKIJ STEPAN ALEKSANDROVICH, GROMOV GENNADIJ NIKOLAEVICH, GUSHCHIN VLADIMIR VASIL'EVICH, PROCHANKIN ALEKSANDR PETROVICH, BOLGOV MIKHAIL VIKTOROVICH, GAVRILOV PETR MIKHAJLOVICH, LEVINSKIJ ALEKSANDR IVANOVICH
Format: Patent
Sprache:eng ; rus
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:FIELD: chemistry. ^ SUBSTANCE: invention can be used in chemical and electronic industry. Polycrystalline silicon is produced by hydrogen reduction of silicone rod trichlorosilane. Exhaust gas-vapour mixture is condensed with hydrogen recirculation following absorption treating. Condensation involves grading as containing trichlorosilane delivered to the process top. Distillation residue containing polysilane chlorides 5 - 10% and 90 - 95% silicon tetrachloride is delivered to hydrogenation in a hydrogenation reactor to produce trichlorosilane reduced to silicon with increasing process temperature to 1100 - 1200C and specified molar ratio of hydrogen to chlorosilanes as (6-12):1. The prepared exhaust gas-vapour mixture is cooled to produce silicon tetrachloride and trichlorosilane thereafter delivered back to the silicone process stage. ^ EFFECT: cost reduction of polycrystalline silicon process due to trichlorosilane generation in hydrogenation of waste silicon tetrachloride and polysilane chlorides. ^ 3 cl, 1 dwg Изобретение может быть использовано в химической и электронной промышленности. Поликристаллический кремний получают водородным восстановлением трихлорсилана на кремниевых стержнях. Отходящую парогазовую смесь подвергают конденсации с рециркуляцией водорода после абсорбционной очистки. Конденсацию ведут с отбором фракции, содержащей трихлорсилан, которую направляют в голову процесса. Кубовый остаток, содержащий 5-10% полисиланхлоридов и 90-95% тетрахлорида кремния, передают на гидрирование в реактор гидрирования с получением трихлорсилана и его восстановление до кремния, при этом увеличивают температуру процесса до 1100-1200°С и устанавливают мольное отношение водорода к хлорсиланам (6-12):1. Полученную отходящую парогазовую смесь охлаждают с получением конденсата тетрахлорида кремния и трихлорсилана, который после переработки возвращают на стадию получения кремния. Предложенное изобретение позволяет снизить себестоимость получения поликристаллического кремния за счет образования трихлорсилана при гидрировании отходов - тетрахлорида кремния и полисиланхлоридов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.