Fremgangsmate for a passivisere en substratoverflate

Fremgangsmåte for passivering av i det minste en del av overflaten på et halvledersubstrat (1), der minst ett lag omfatter minst ett SiOx-lag pålagt substratoverflaten. Prosessen omfatter å legge substratet (1) i et prosesskammer (5), holde trykket i dette kammer ved en relativt liten verdi, holde substratet (1) ved en gitt behandlingstemperatur, frembringe et plasma (P) ved hjelp av minst én plasmakilde (3) på kammeret (5), i en gitt avstand (L) fra substratoverflaten, å bringe i det minste en del av plasmaet (P) fra hver kilde (3) i kontakt med den aktuelle del av overflaten, og tilførsel av minst én katalysator (prekursor) egnet for pålegging av SiOx på den aktuelle del av plasmaet (P), slik at laget eller lagene som påføres substratet (1) får sin temperaturbehandling i en gassomgivelse. A method for passivating at least a part of a surface of a semiconductor substrate, wherein at least one layer comprising at least one SiOx layer is realized on said part of the substrate surface by: -placing the substrate (1) in a process chamber (5); -maintaining the pressure in the process chamber (5) at a relatively low value; -maintaining the substrate (1) at a specific substrate treatment temperature; -generating a plasma (P) by means of at least one plasma source (3) mounted on the process chamber (5) at a specific distance (L) from the substrate surface; -contacting at least a part of the plasma (P) generated by each source (3) with the said part of the substrate surface; and -supplying at least one precursor suitable for SiOx realization to the said part of the plasma (P); wherein at least the at least one layer realized on the substrate (1) in subjected to a temperature treatment in a gas environment.