Metode for initiell oppstarting av reaksjonen ved direkteklorering av silisium metall eller et silisiumholdig materiale ved en lav temperatur

Fremgangsmåte til oppstart av reaksjonen for produksjon av silisiumtetraklorid ved at silisiummetall, ferrosilisium, silisiumoksyd og/eller silisiumkarbid reagerer med klorid i reaktorer med virvelsjikt, stasjonært sjikt eller oppløselig sjikt. Temperaturen ved begynnelsen av kloreringen (tenning) ligger på eller nær romtemperatur, slik at en liten mengde av en tenn- eller reaksjonsstartsubstans som for eksempel en legering og/eller en forbindelse som lett reagerer eksotermt med klor ved eller nær romtemperatur, øker temperaturen i silisiumet eller det silisiumholdige materialet i omgivelsene til over kloreringstenntemperaturen for silisiumet eller det silisiumholdige stoffet. Method for the initial start of reaction when producing silicon tetrachloride by reaction of silicon metal, ferrosilicon, silicon oxide, and/or silicon carbide with chlorine in fluid bed, fixed bed or disappearing bed reactors. The temperature at the start of chlorination (ignition) is at or close to ambient temperature (room temperature), whereby a small amount of an ignition or reaction initiation material such as an alloy and/or compound that readily reacts exothermally with chlorine at or close to ambient temperature thereby raising the temperature of the adjacent silicon or silicon containing material to a temperature above the chlorination ignition temperature of silicon or the silicon containing material.