PIEZORESISTIVE PRESSURE SENSORS BASED ON SOI STRUCTURES WITH MICRO-ETCHED DIAPHRAGMS

The present invention refers to a diaphragm performed in materials of the electronic industry and semiconductors industry for being applied in pressure sensors. This diaphragm consists in a membrane that includes two or more layers of different materials on which silicon piezoresistors with electromagnetic characteristics are manufactured for allowing the transduction of the deformation to an electric signal susceptible to be manipulated, the deformation being originated by the pressure exerted over the diaphragm. The aforementioned diaphragm may be manufactured in different geometric shapes depending on the application and the manufacturing processes used for manufacturing the same. The invention also has micro-etched channels in the lower surface thereof for increasing the general performance of the diaphragm. The dimensions of the diaphragm, micro-channels and piezoresistors, the thicknesses of the layers and the geometry of the structures will be determined by the application and the pressure range at which the device will be subjected. La presente invención se refiere a un diafragma realizado en materiales de la industria electrónica y de semiconductores para aplicaciones en sensores de presión. Este diafragma consiste en una membrana compuesta de dos o más capas de distinto material sobre el cual se realizan piezoresistores de silicio cuyas características electromecánicas permiten la transducción de la deformación causada por la presión sobre el diafragma a una señal eléctrica susceptible de ser manipulada. El diafragma mencionado puede ser de distintas formas geométricas de acuerdo a la aplicación y a los procesos de fabricación usados para su fabricacion. Cuenta así mismo con canales micrograbados en la cara inferior con el fin de aumentar el desempeño general del diafragma. Las dimensiones del diafragma, microcanales y piezoresistores, espesores de las capas y geometría de la estructura estarán determinadas por la aplicación y el rango de presión al que estará sujeto el dispositivo.