SOLAR CONTROL GLAZING COMPRISING A THIN FILM BASED ON TITANIUM NITRIDE AND A FILM OF SUB-STOICHIOMETRIC SILICON NITRIDE IN NITROGEN
The present invention relates to a glazing article comprising at least one glass substrate on which a stack of films is deposited, said stack of films comprising the following succession, from the surface of said glass substrate: a first film comprising silicon nitride in which the atomic ratio N/Si...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; spa |
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Zusammenfassung: | The present invention relates to a glazing article comprising at least one glass substrate on which a stack of films is deposited, said stack of films comprising the following succession, from the surface of said glass substrate: a first film comprising silicon nitride in which the atomic ratio N/Si Is greater than 1.25, the physical thickness of said film being between 5 and 80 nm, a film comprising titanium nitride, the physical thickness of said film being between 5 and 50 nm, a second film comprising silicon nitride in which the atomic ratio N/Si Is less than 1.25, the physical thickness of said film being between 1 and 25 nm, and a third film comprising silicon nitride in which the atomic ratio N/Si is greater than 1.25, the physical thickness of said film being between 5 and 80 nm.
La presente invención se refiere a un artículo de acristalamiento que comprende al menos un sustrato de vidrio sobre el cual se deposita una pila de películas, dicha pila de películas comprende la siguiente sucesión, desde la superficie de dicho sustrato de vidrio: una primera película que comprende nitruro de silicio en la que la relación atómica N/Si es mayor que 1.25, siendo el espesor físico de tal película entre 5 y 80nm, una película que comprenda nitruro de titanio, el espesor físico esté comprendido entre 5 y 50nm, una segunda película que comprenda nitruro de silicio en la que la relación atómica N/Si sea inferior a 1.25, el espesor físico de tal película esté comprendida entre 1 y 25nm, una tercera película que comprenda nitruro de silicio en la que la relación atómica N/Si sea superior a 1.25, el espesor físico de tal película está entre 5 y 80nm. |
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