BIODEGRADABLE ALKALINE METHOD FOR SURFACE PASSIVATION OF GASB WAFERS

The present invention is a novel surface passivation method for GaSb semiconductor wafers that improves the optical and electrical properties of the wafer surface using a chemical treatment based on an alkaline biodegradable detergent. Said method generates a uniform, stable, and inert layer on the...

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Hauptverfasser: MARTÍNEZ LÓPEZ Ángel Leonardo, MENDOZA ÁLVAREZ Julio Gregorio, VILLA MARTÍNEZ Gerardo, HERRERA PÉREZ José Luis, CASALLAS MORENO Yenny Lucero, CRUZ OREA Alfredo, RAMÍREZ LÓPEZ Manolo, RODRÍGUEZ FRAGOSO Patricia
Format: Patent
Sprache:eng ; spa
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RODRÍGUEZ FRAGOSO Patricia
description The present invention is a novel surface passivation method for GaSb semiconductor wafers that improves the optical and electrical properties of the wafer surface using a chemical treatment based on an alkaline biodegradable detergent. Said method generates a uniform, stable, and inert layer on the wafer surface, which prevents oxidation and reduces surface defects, significantly reducing the speed of surface recombination and increasing the intensity of radiative transitions in GaSb. Also, it has the advantages of not using toxic chemical compounds, which guarantees safe handling for users, using commercially accessible and biodegradable precursors, and not requiring specialized instrumentation. La presente invención es un método nuevo de pasivación superficial para obleas semiconductoras de GaSb que mejora las propiedades ópticas y eléctricas de la superficie de la oblea usando un tratamiento químico basado en un detergente biodegradable alcalino. Con este método se genera sobre la superficie de la oblea una capa uniforme, estable e inerte, que evita la oxidación y disminuye los defectos superficiales; reduciendo significativamente la velocidad de recombinación superficial y aumentando la intensidad de las transiciones radiativas en el GaSb. Esta invención tiene ventajas como no utilizar compuestos químicos tóxicos lo que garantiza un manejo seguro para los usuarios, usar precursores comercialmente accesibles y biodegradables, además de no requerir de instrumentación especializada.
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Said method generates a uniform, stable, and inert layer on the wafer surface, which prevents oxidation and reduces surface defects, significantly reducing the speed of surface recombination and increasing the intensity of radiative transitions in GaSb. Also, it has the advantages of not using toxic chemical compounds, which guarantees safe handling for users, using commercially accessible and biodegradable precursors, and not requiring specialized instrumentation. La presente invención es un método nuevo de pasivación superficial para obleas semiconductoras de GaSb que mejora las propiedades ópticas y eléctricas de la superficie de la oblea usando un tratamiento químico basado en un detergente biodegradable alcalino. Con este método se genera sobre la superficie de la oblea una capa uniforme, estable e inerte, que evita la oxidación y disminuye los defectos superficiales; reduciendo significativamente la velocidad de recombinación superficial y aumentando la intensidad de las transiciones radiativas en el GaSb. 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