ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR GATE

The invention relates to an electronic component, especially an RFID transponderthat comprises at least one logic gate (3). Said logic gate (3) is constitutedof a plurality of layers applied to a common substrate (10). The layers compriseat least two electrode layers, at least one, especially organic, semiconductorlayer (13, 23) applied from a liquid, and an insulating layer (14, 24) and are configuredin such a manner that the logic gate comprises at least two differently structuredfield effect transistors (1, 2). Said field effect transistors (1, 2) are configuredfrom a plurality of functional layers that can be applied to a carrier substrate(10) by a printing or doctor blade process. La invencion se relaciona con un componente electronico, especialmente un transportador RFID que comprende cuando menos una puerta (3) logica. La puerta (3) logica esta constituida de una pluralidad de capas aplicadas a un substrato (10) comun. Las capas comprenden cuando menos dos capas de electrodo, cuando menos una capa semiconductora, (13, 23) especialmente organica aplicada de un liquido, y una capas aislante (14, 24) y estan configuradas de tal manera que la puerta logica comprende cuando menos dos transistores (1, 2) de efecto de campo diferentemente estructurados. Los transistores (1, 2) de efecto de campo estan configurados de una pluralidad de capas funcionales que se pueden aplicar a un substrato (10) portador mediante un proceso de impresion o de cuchilla de doctor.