UNA PELICULA SEMICONDUCTORA DEPOSITADA ELECTRONICAMENTE DE MATERIAL DE FOSFORO ENLAZADO, EL METODO PARA FABRICARLA Y UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR FORMADO CON ELLA

La presente invención se refiere a una película semiconductora depositada electrónicamente de un material de fósforo enlazado o encadenado formada sobre un substrato apropiado mediante deposición electrónica, caracterizada por el hecho de que comprende MPx, en donde x es igual o mayor que 15 y M es...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	MARCELLO VISCOGLIOSI, LEWIS ANDREW BUNZ, ROZALIE ECHACHTER
Format:	Patent
Sprache:	spa
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!