Process for producing p-GaN layers

The invention relates to the semiconductor device manufacturing technology, in particular to processes for producing crystalline layers of III-N compounds with p-type electrical conduction on heterogeneous substrates.The process for producing p-GaN layers comprises the deposition on a heterogeneous substrate of ZnO layers from a solution of zinc acetate dihydrate in ethanol with subsequent thermal treatment at a temperature of 500°C, subsequent deposition of a ZnO precipitate from a solution of zinc nitrate hexahydrate and KOH in distilled water by boiling for 3 hours and thermal treatment also at a temperature of 500°C for 2 hours, with subsequent introduction into the deposition reactor of GaN layers by the HVPE method, where the GaN layer is first deposited at a temperature of 500°C for 15 min, and then the GaN layer itself is deposited at a temperature of 800...1050°C for 25 min. Invenţia se referă la tehnologia de obţinere a dispozitivelor semiconductoare, în special la procedee de obţinere a straturilor cristaline ai compuşilor III-N cu conductibilitate electrică de tip p pe substraturi eterogene.Procedeul de obţinere a straturilor de p-GaN include depunerea pe un substrat eterogen a straturilor de ZnO din soluţie de acetat de zinc dihidrat în etanol cu tratarea termică ulterioară la temperatura de 500°C timp de 2 ore, depunerea ulterioară a unui sediment de ZnO din soluţia nitratului de zinc hexahidrat şi KOH în apă distilată prin fierbere timp de 3 ore şi tratare termică la temperatura de 500°C timp de 2 ore, cu introducerea ulterioară într-un reactor de depunere a straturilor de GaN prin metoda HVPE, în care, mai întâi, se depune un strat de GaN la temperatura de 500°C timp de 15 min, iar apoi se depune stratul propriu-zis de GaN la temperatura de 800...1050°C timp de 25 min. Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к способам изготовления кристаллических слоев соединений III-N с электропроводностью р-типа на гетерогенных подложках.Способ изготовления слоев p-GaN включает осаждение на гетерогенной подложке слоев ZnO из раствора дигидрат ацетата цинка в этаноле с последующей термической обработкой при температуре 500°С в течение 2 часов, последующее осаждение осадка ZnO из раствора гексагидрат нитрата цинка и КОН в дистиллированной воде кипячением в течение 3 часов и термической обработкой при температуре 500°С в течение 2 часов, с последующим введением в осаждающий реактор слоев GaN методом HVPE, в ко