Process for submerged cultivation of Aspergillus niger CNMN FD 01 fungi strain

The invention relates to biotechnology, namely to a process for submerged cultivation of Aspergillus niger CNMN FD 01 mycelial fungi strain.The process, according to the invention, comprises preparing a spore suspension of the strain grown for 14 days on a sloped wort-agar medium, inoculating the suspension in a concentration of 10% vol. in a nutrient medium with the pH 7.2, containing, g/L: soy flour - 35.0, K2HPO4 - 5.0, (NH4)2SO4 - 1.0 and drinking water the rest and culturing at a temperature of 28...30°C with continuous stirring for 96 hours. The spore suspension, before inoculation, is treated with titanium dioxide TiO2 nanoparticles of a size of 40 nm in a concentration of 0.0010%. Invenţia se referă la biotehnologie, şi anume la un procedeu de cultivare submersă a tulpinii de fungi miceliali Aspergillus niger CNMN FD 01.Procedeul, conform invenţiei, include obţinerea suspensiei de spori a tulpinii crescute timp de 14 zile pe un mediu de malţ-agar înclinat, inocularea suspensiei în concentraţie de 10 % vol. într-un mediu nutritiv cu pH-ul 7,2, care conţine, g/L: făină de soia - 35,0, K2HPO4 - 5,0, (NH4)2SO4 - 1,0 şi apă potabilă restul şi cultivarea la temperatura de 28...30°C cu agitare continuă în decurs de 96 ore. Suspensia de spori, înainte de inoculare, se tratează cu nano-particule de dioxid de titan TiO2 cu dimensiunile de 40 nm în concentraţie de 0,0010 %. Изобретение относится к биотехнологии, а именно к способу глубинного культивирования штамма мицелиальных грибов Aspergillus niger CNMN FD 01.Способ, согласно изобретению, включает получение суспензии спор штамма выращенного в течение 14 дней на скошенной сусло-агаризованной среде, инокуляцию суспензии в концентрации 10 % об. в питательную среду с pH 7,2, которая содержит, г/л: соевую муку - 35,0, K2HPO4 - 5,0, (NH4)2SO4 - 1,0 и питьевую воду остальное и культивирование при температуре 28...30°C с непрерывным перемешиванием в течение 96 часов. Суспензия спор, перед инокуляцией, обрабатывается нано-частицами диоксида титана TiO2 размером 40 нм в концентрации 0,0010 %.