Process for modifying the near-surface layers of zinc selenide monocrystals

The invention relates to processes for thermal treatment of semiconductor materials and may be used in microelectronics.Summary of the invention consists in the modification of near-surface layers of zinc selenide monocrystals, including the thermal treatment of monocrystals in the bismuth melt with additive of 0.02...1.10 at.% of chrome at the temperature of 1000...1200°C during 60...150 hours.The result consists in extending the functional possibilities of the devices obtained on base of zinc selenide monocrystals doped with chrome from bismuth melt, as well as in improving the stoichiometry in the doping process. Invenţia se referă la procedeele de prelucrare termică a materialelor semiconductoare şi poate fi folosită în microelectronică.Esenţa invenţiei constă în modificarea straturilor de suprafaţă ale monocristalelor de seleniură de zinc, care include prelucrarea termică a monocristalelor în topitură de bismut cu adaos de 0,02...1,10% at. de crom la temperatura de 1000...1200°C timp de 60...150 ore.Rezultatul constă în lărgirea posibilităţilor funcţionale ale dispozitivelor, obţinute în baza monocristalelor de seleniură de zinc dopate cu crom din topitură de bismut, precum şi în îmbunătăţirea stoichiometriei în procesul dopării. Изобретение относится к способам термической обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано в микроэлектронике.Сущность изобретения состоит в модификации приповерхностных слоев монокристалла селенида цинка, которая включает термообработку монокристаллов в расплаве висмута с добавкой 0,02...1,10 ат. % хрома при температуре 1000...1200°С в течение 60...150 часов.Результат состоит в расширении функциональных возможностей устройств, полученных на основе монокристаллов селенида цинка, легированных хромом из расплава висмута, а также в улучшении стехиометрии в процессе легирования.