Carrier for registration of optical images and holographic information

The invention refers to the optical registration of information, optoelectronics and holography.The carrier contains a dielectric substrate, the first electrode, injection substrate, registration substrate and the upper metallic electrode. For the purpose of photo-sensibility increasing the injection substrate is executed of the material of general formula As x Se 1-x, where 0,02 ≤ x ≤ 0,1, and the registration substrate is made of the same material as the injection one, but with a variable concentration of the arsenic and selenium atoms according to the substrate thickness, particularly, with increasing concentration of the arsenic atoms in the direction from the injectionsubstrate to the upper electrode from 40 to 60 at. % at the decreasing concentration of the selenium atoms in the same direction from 60 to 40 at. %. Invenţia se referă la domeniul imprimării optice a informaţiei, optoelectronică şi holografie.Purtătorul conţine un substrat dielectric, primul electrod, substratul injector, substratul de imprimare şi electrodul metalic superior. Pentru majorarea fotosensibilităţii substratul injector este confecţionat din material cu formula generală AsxSe1-x, unde 0,02?x?0,1, iar substratul de imprimare este confecţionat din acelaşi material ca şi substratul injector, însă cu concentraţia variabilă a atomilor de arsen şi seleniu pe grosimea substratului, şi anume, concentraţia atomilor de arsen mărindu-se în direcţia de la substratul injector spre electrodul superior de la 40 până la 60 % at., iar concentraţia atomilor de seleniu micşorându-se în aceeaşi direcţie de la 60 până la 40 % at. Изобретение относится к оптической записи информации, оптоэлектронике и голографии.Носитель содержит диэлектрическую подложку, первый электрод, инжекционный слой, регистрирующий слой и верхний металлический электрод. С целью увеличения светочувствительности инжекционный слой выполнен из материала общей формулой АsxSe1-x, где 0,02?х?0,1, а регистрирующий слой выполнен из того же материала, что и инжекционный слой, но с переменной концентрацией атомов мышьяка и селена по толщине слоя, а именно, с увеличивающей концентрацией атомов мышьяка по направлению от инжекционного слоя к верхнему электроду от 40 до 60 ат.% при уменьшающейся концентрации атомов селена в том же направлении от 60 до 40 ат.%.