Steuerung von Halbleiterschaltern einer Spannungswandler-Schaltungsanordnung

Eine Technik zur Steuerung der Halbleiterschalter (112; 114) einer Schaltungsanordnung, insbesondere als Tiefsetzsteller (100), Hochtiefsetzsteller oder Sperrwandler an einer Gleichstromquelle oder an einer Wechselstromquelle, während einer Periode umfassend eine festgelegte Zeitdauer (ton) einer Aufmagnetisierungsphase (140) und eine veränderbare Zeitdauer (toff) einer Abmagnetisierungsphase (142) einer Induktivität (104) wird bereitgestellt. Die Tiefsetzsteller-Schaltungsanordnung (100) umfasst einen während der Aufmagnetisierungsphase (140) leitenden ersten Halbleiterschalter (112) und einen während der Abmagnetisierungsphase (142) leitenden zweiten Halbleiterschalter (114), die Induktivität (104), eine Kapazität (106) parallel zu einem elektrischen Verbraucher (108) und mindestens eine Strommessstelle (110-1; 110-2) im Strompfad eines der Halbleiterschalter (112; 114). Ein Stromwert wird über der Strommessstelle (110-1; 110-2) während eines festgelegten Zeitpunkts der Periode gemessen und mit einem festgelegten Referenzstromwert verglichen. In Abhängigkeit von dem Vergleichsergebnis wird die Zeitdauer (toff) der Abmagnetisierungsphase (142) verändert. The invention relates to a technique for controlling semiconductor switches (112; 114) of a circuit arrangement, in particular in the form of buck converters (100), boost/buck converters or flyback converters at a DC source or at an AC source, during a period comprising a fixed duration (ton) of a magnetising phase (14) and a variable duration (toff) of a demagnetising phase (142) of an inductor (104). The buck converter circuit arrangement (100) comprises a first semiconductor switch (112) that is conductive during the magnetising phase (140) and a second semiconductor switch (114) that is conductive during the demagnetising phase (142), the inductor (104), a capacitor (106) parallel to an electrical load (108), and at least one current measuring point (110-1; 110-2) in the current path of one of the semiconductor switches (112; 114). A current value is measured via the current measuring point (110-1; 110-2) at a fixed time point of the period and is compared with a fixed reference current value. The duration (toff) of the demagnetising phase (142) is modified depending on the result of the comparison.