다수의 결정들을 동시에 인출하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스
다수의 결정들을 동시에 풀링하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스가 제공된다. 결정 냉각 장치에는 풀링된 결정들이 통과될 다수의 제1 리프트 홀들 및 결정들을 냉각시키기 위한 냉각 매체 채널이 제공된다. 본 출원에 따르면, 풀링된 결정들은 신속하게 냉각될 수 있고, 다수의 결정들은 동시에 풀링될 수 있으며, 그에 의해, 실리콘 코어를 풀링하기 위한 속도를 증가시킨다. 게다가, 파손된 실리콘 재료가 다수의 실리콘 코어들을 동시에 풀링하기 위해 사용될 수 있으며, 따라서 파손된 실리콘 재료의 리소스 낭비를 효과적으로 방...
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , |
|---|---|
| Format: | Patent |
| Sprache: | kor |
| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | Volltext bestellen |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| container_end_page | |
|---|---|
| container_issue | |
| container_start_page | |
| container_title | |
| container_volume | |
| creator | ZHU ZHENYE GUO LILIANG |
| description | 다수의 결정들을 동시에 풀링하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스가 제공된다. 결정 냉각 장치에는 풀링된 결정들이 통과될 다수의 제1 리프트 홀들 및 결정들을 냉각시키기 위한 냉각 매체 채널이 제공된다. 본 출원에 따르면, 풀링된 결정들은 신속하게 냉각될 수 있고, 다수의 결정들은 동시에 풀링될 수 있으며, 그에 의해, 실리콘 코어를 풀링하기 위한 속도를 증가시킨다. 게다가, 파손된 실리콘 재료가 다수의 실리콘 코어들을 동시에 풀링하기 위해 사용될 수 있으며, 따라서 파손된 실리콘 재료의 리소스 낭비를 효과적으로 방지한다.
A crystal cooling apparatus for simultaneously drawing multiple crystals and an artificial crystal preparation device. The crystal cooling apparatus is provided with multiple first lift holes for drawn crystals to pass through and a cooling medium channel for cooling the crystals, can cool the drawn crystals quickly, and can draw multiple crystals at the same time, thereby increasing the speed of silicon core drawing. Moreover, broken silicon material can be used to draw multiple silicon cores at the same time, thus effectively preventing the resource waste of the broken silicon material. |
| format | Patent |
| fullrecord | <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_KR20240164501A</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>KR20240164501A</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_KR20240164501A3</originalsourceid><addsrcrecordid>eNrjZMh_3b3kTceMN3NnKLzatOHNgqmvJy95M7dF4XX_zDfdc95Mn6DwZu6ON9vmvJ0649WODQpv5rS8nToHqlThdXPnqw2NCm_mLX2zc4bC6w39IMWvNm-Fyb9Z0vB6J9CsKVNeb5jyZu6WN11LeBhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvHeQkYGRiYGhmYmpgaGjMXGqABJJYrs</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>다수의 결정들을 동시에 인출하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스</title><source>esp@cenet</source><creator>ZHU ZHENYE ; GUO LILIANG</creator><creatorcontrib>ZHU ZHENYE ; GUO LILIANG</creatorcontrib><description>다수의 결정들을 동시에 풀링하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스가 제공된다. 결정 냉각 장치에는 풀링된 결정들이 통과될 다수의 제1 리프트 홀들 및 결정들을 냉각시키기 위한 냉각 매체 채널이 제공된다. 본 출원에 따르면, 풀링된 결정들은 신속하게 냉각될 수 있고, 다수의 결정들은 동시에 풀링될 수 있으며, 그에 의해, 실리콘 코어를 풀링하기 위한 속도를 증가시킨다. 게다가, 파손된 실리콘 재료가 다수의 실리콘 코어들을 동시에 풀링하기 위해 사용될 수 있으며, 따라서 파손된 실리콘 재료의 리소스 낭비를 효과적으로 방지한다.
A crystal cooling apparatus for simultaneously drawing multiple crystals and an artificial crystal preparation device. The crystal cooling apparatus is provided with multiple first lift holes for drawn crystals to pass through and a cooling medium channel for cooling the crystals, can cool the drawn crystals quickly, and can draw multiple crystals at the same time, thereby increasing the speed of silicon core drawing. Moreover, broken silicon material can be used to draw multiple silicon cores at the same time, thus effectively preventing the resource waste of the broken silicon material.</description><language>kor</language><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE ; APPARATUS THEREFOR ; CHEMISTRY ; CRYSTAL GROWTH ; METALLURGY ; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL ; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE ; SINGLE-CRYSTAL-GROWTH ; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><creationdate>2024</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241119&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240164501A$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25551,76302</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=20241119&DB=EPODOC&CC=KR&NR=20240164501A$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ZHU ZHENYE</creatorcontrib><creatorcontrib>GUO LILIANG</creatorcontrib><title>다수의 결정들을 동시에 인출하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스</title><description>다수의 결정들을 동시에 풀링하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스가 제공된다. 결정 냉각 장치에는 풀링된 결정들이 통과될 다수의 제1 리프트 홀들 및 결정들을 냉각시키기 위한 냉각 매체 채널이 제공된다. 본 출원에 따르면, 풀링된 결정들은 신속하게 냉각될 수 있고, 다수의 결정들은 동시에 풀링될 수 있으며, 그에 의해, 실리콘 코어를 풀링하기 위한 속도를 증가시킨다. 게다가, 파손된 실리콘 재료가 다수의 실리콘 코어들을 동시에 풀링하기 위해 사용될 수 있으며, 따라서 파손된 실리콘 재료의 리소스 낭비를 효과적으로 방지한다.
A crystal cooling apparatus for simultaneously drawing multiple crystals and an artificial crystal preparation device. The crystal cooling apparatus is provided with multiple first lift holes for drawn crystals to pass through and a cooling medium channel for cooling the crystals, can cool the drawn crystals quickly, and can draw multiple crystals at the same time, thereby increasing the speed of silicon core drawing. Moreover, broken silicon material can be used to draw multiple silicon cores at the same time, thus effectively preventing the resource waste of the broken silicon material.</description><subject>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</subject><subject>APPARATUS THEREFOR</subject><subject>CHEMISTRY</subject><subject>CRYSTAL GROWTH</subject><subject>METALLURGY</subject><subject>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</subject><subject>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</subject><subject>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</subject><subject>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2024</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNrjZMh_3b3kTceMN3NnKLzatOHNgqmvJy95M7dF4XX_zDfdc95Mn6DwZu6ON9vmvJ0649WODQpv5rS8nToHqlThdXPnqw2NCm_mLX2zc4bC6w39IMWvNm-Fyb9Z0vB6J9CsKVNeb5jyZu6WN11LeBhY0xJzilN5oTQ3g7Kba4izh25qQX58anFBYnJqXmpJvHeQkYGRiYGhmYmpgaGjMXGqABJJYrs</recordid><startdate>20241119</startdate><enddate>20241119</enddate><creator>ZHU ZHENYE</creator><creator>GUO LILIANG</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20241119</creationdate><title>다수의 결정들을 동시에 인출하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스</title><author>ZHU ZHENYE ; GUO LILIANG</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_KR20240164501A3</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>kor</language><creationdate>2024</creationdate><topic>AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE</topic><topic>APPARATUS THEREFOR</topic><topic>CHEMISTRY</topic><topic>CRYSTAL GROWTH</topic><topic>METALLURGY</topic><topic>PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL</topic><topic>SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE</topic><topic>SINGLE-CRYSTAL-GROWTH</topic><topic>UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ZHU ZHENYE</creatorcontrib><creatorcontrib>GUO LILIANG</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ZHU ZHENYE</au><au>GUO LILIANG</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>다수의 결정들을 동시에 인출하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스</title><date>2024-11-19</date><risdate>2024</risdate><abstract>다수의 결정들을 동시에 풀링하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스가 제공된다. 결정 냉각 장치에는 풀링된 결정들이 통과될 다수의 제1 리프트 홀들 및 결정들을 냉각시키기 위한 냉각 매체 채널이 제공된다. 본 출원에 따르면, 풀링된 결정들은 신속하게 냉각될 수 있고, 다수의 결정들은 동시에 풀링될 수 있으며, 그에 의해, 실리콘 코어를 풀링하기 위한 속도를 증가시킨다. 게다가, 파손된 실리콘 재료가 다수의 실리콘 코어들을 동시에 풀링하기 위해 사용될 수 있으며, 따라서 파손된 실리콘 재료의 리소스 낭비를 효과적으로 방지한다.
A crystal cooling apparatus for simultaneously drawing multiple crystals and an artificial crystal preparation device. The crystal cooling apparatus is provided with multiple first lift holes for drawn crystals to pass through and a cooling medium channel for cooling the crystals, can cool the drawn crystals quickly, and can draw multiple crystals at the same time, thereby increasing the speed of silicon core drawing. Moreover, broken silicon material can be used to draw multiple silicon cores at the same time, thus effectively preventing the resource waste of the broken silicon material.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
| fulltext | fulltext_linktorsrc |
| identifier | |
| ispartof | |
| issn | |
| language | kor |
| recordid | cdi_epo_espacenet_KR20240164501A |
| source | esp@cenet |
| subjects | AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL |
| title | 다수의 결정들을 동시에 인출하기 위한 결정 냉각 장치 및 인공 결정 준비 디바이스 |
| url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-16T00%3A39%3A50IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=ZHU%20ZHENYE&rft.date=2024-11-19&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EKR20240164501A%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true |