전환 가능한 분석 자석을 가지는 이중 소스 인젝터

이온 주입 시스템은 내부 및 외부 영역을 가지는 질량 분석 자석을 가지고, 상기 내부 및 외부 영역은 제1 입구, 제2 입구 및 출구를 정의한다. 제1 이온 소스는 제1 빔 경로를 따라 상기 제1 입구를 향해 유도되는 제1 이온 빔을 정의한다. 제2 이온 소스는 제2 빔 경로를 따라 상기 제2 입구를 향해 유도되는 제2 이온 빔을 정의한다. 자석 전류 소스는 상기 질량 분석 자석에 자석 전류를 인가한다. 자석 제어 회로는 상기 제1 또는 제2 이온 빔의 형성에 기초하여 상기 자석 전류의 극성을 제어한다. 상기 질량 분석 자석은 상기 각각의 제1 또는 제2 이온 빔을 질량 분석하여, 질량 분석된 빔 경로를 따라 질량 분석된 이온 빔을 정의한다. 상기 내부 또는 외부 영역 내의 적어도 하나의 차폐물은 상기 제1 및 제2 이온 소스 사이의 가시선을 방지한다. 빔 라인 부품들은 상기 질량 분석된 이온 빔을 수정한다. An ion implantation system has a mass analyzing magnet having interior and exterior region and defining a first entrance, second entrance, and an exit. A first ion source defines a first ion beam directed toward the first entrance along a first beam path. A second ion source defines a second ion beam directed toward the second entrance along a second beam path. A magnet current source supplies a magnet current to the mass analyzing magnet. Magnet control circuitry controls a polarity of the magnet current based on a formation of the first or second ion beam. The mass analyzing magnet mass analyzes the respective first or second ion beam to define defining a mass analyzed ion beam along a mass analyzed beam path. At least one shield in the interior or exterior region prevents line-of-sight between the first and second ion sources. Beamline components modify the mass analyzed ion beam.