SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

반도체 장치가 제공된다. 반도체 장치는 기판, 기판 위에 위치하고, 제1 방향으로 연장되는 비트 라인, 비트 라인 위에 위치하고, 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 채널 트렌치를 포함하는 제1 층간 절연층, 제1 층간 절연층 위에 위치하는 제2 층간 절연층, 채널 트렌치 내에 위치하는 채널 패턴, 제2 방향으로 연장되고, 채널 패턴과 이격되어 있는 워드 라인, 채널 패턴과 워드 라인 사이에 위치하는 게이트 절연 패턴, 워드 라인 위에 위치하는 절연 패턴, 및 채널 패턴에 연결되어 있는 랜딩 패드를 포함하고, 랜딩 패드는 채널 패턴과 제2 층간 절연층 사이에 위치하는 제1 돌출부, 및 채널 패턴과 절연 패턴 사이에 위치하는 제2 돌출부를 포함한다. A semiconductor device includes a substrate; a bit line disposed on the substrate and extending in a first direction; a first interlayer insulating layer disposed on the bit line, and including a channel trench extending in a second direction crossing the first direction; a second interlayer insulating layer disposed on the first interlayer insulating layer; a channel pattern disposed in the channel trench; a word line extending in the second direction and spaced apart from the channel pattern; a gate insulating pattern disposed between the channel pattern and the word line; an insulating pattern disposed on the word line; and a landing pad connected to the channel pattern. The landing pad includes a first protrusion disposed between the channel pattern and the second interlayer insulating layer, and a second protrusion disposed between the channel pattern and the insulating pattern.