POI(piezoelectric-on-insulator) 기판 및 POI(piezoelectric-on-insulator) 기판을 생산하기 위한 공정

본 발명은 제 1 음향 임피던스를 가진 지지 기판(102), 압전층(104), 특히 리튬 탄탈레이트(LTO), 리튬 니오베이트(LNO), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 납 지르코네이트 타이타네이트(PZT), 랑가사이트 또는 랑가테이트의 층, 제 2 음향 임피던스를 가지며 압전층(104)과 지지 기판(102) 사이에 샌드위치되는 유전체층(110), 지지 기판(102)과 유전체층(110) 사이에 위치된 중간층(106)을 포함하며, 중간층(106)은 특히 두께에 따라 가변적인 조성을 갖는 층이며, 중간층(106)의 음향 임피던스는 제 1 음향 임피던스 및 제 2 음향 임피던스의 값들 사이에서 특히 점진적 방식으로 변화하는 것을 특징으로 하는 POI(piezoelectric-on-insulator) 기판(100, 200)에 관한 것이다. 본 발명은 또한 이러한 POI(piezoelectric-on-insulator) 기판을 생산하기 위한 공정, 및 이러한 POI(piezoelectric-on-insulator) 기판을 포함하는 표면 음향파 장치(SAW)에 관한 것이다. The invention relates to a piezoelectric-on-insulator (POI) substrate (100) comprising a supporting substrate (102) having a first acoustic impedance; a piezoelectric layer (104), in particular made of lithium tantalate, lithium niobate, aluminium nitride, lead zirconate titanate, langasite or langatate; a dielectric layer (110) having a second acoustic impedance and sandwiched between the piezoelectric layer (104) and the supporting substrate (102); and an intermediate layer (106) positioned between the supporting substrate (102) and the dielectric layer (110), characterised in that the intermediate layer (106) is a layer with a variable composition, in particular along its thickness, such that the acoustic impedance of the intermediate layer varies, in particular gradually, between the values of the first and second acoustic impedances. The invention also relates to a method for producing such a POI substrate and to a surface acoustic wave device comprising such a POI substrate.