SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROGRAM

기판의 휨을 억제하는 것이 가능한 기술을 제공한다. 기판을 처리하는 처리실과, 상기 기판의 표면에 성막 가스를 공급하는 제1 가스 공급 기구와, 상기 기판의 이면에 성막 가스를 공급하는 제2 가스 공급 기구와, 상기 처리실 내의 상기 기판을 가열하는 기판 가열대와, 적어도, 상기 처리실 내외로 상기 기판을 반송 가능한 제1 위치와, 상기 제1 위치보다도 상기 기판 가열대에 가깝고, 상기 기판 가열대에 접촉시키지 않는 제2 위치의 사이에서 상기 기판을 승강하는 승강 기구와, 상기 제2 위치에 있어서 상기 기판을 가열하면서, 상기 기판의 양면에 막을 형성하도록, 상기 제1 가스 공급 기구, 상기 제2 가스 공급 기구, 상기 기판 가열대 및 상기 승강 기구를 제어하는 것이 가능하도록 구성되는 제어부를 구비한다. A processing chamber that processes a substrate; a first gas supply mechanism that supplies a first film-forming gas to a front surface of the substrate; a second gas supply mechanism that supplies a second film-forming gas to a back surface of the substrate; a substrate heating table that heats the substrate in the processing chamber; a lifting/lowering mechanism that lifts and lowers the substrate between a first position where the substrate can be transferred into and out of the processing chamber and a second position which is closer to the substrate heating table than the first position and where the substrate is not in contact with the substrate heating table; and a controller capable of controlling the first and second gas supply mechanisms, the substrate heating table, and the lifting/lowering mechanism so as to form films on both surfaces of the substrate while heating the substrate at the second position.