Substrate processing apparatus and substrate processing method

Substrate processing apparatus and substrate processing method

본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정가스 분사를 통해 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 처리공간에 설치되며, 기판을 지지한 상태에서 공정 전체시간 동안 회전하는 기판지지부(20)와; 상기 기판 일측에서 상기 기판을 향해 공정가스를 상기 전체시간 중 일부시간 동안 분사하는 가스분사부(30)와; 상기 기판 상 상기 공정가스가 균일하게 분사되도록 상기 기판지지부(20)의 회전속도를 결정하는 제...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: LEE TAE WAN, LEE HONG DEOK, MUN SAE CHAN, NOH JIN TAE, HONG YOUNG JUN, HAN SEOK JUN
Format: Patent
Sprache:eng ; kor
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator LEE TAE WAN
LEE HONG DEOK
MUN SAE CHAN
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HAN SEOK JUN
description 본 발명은, 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 공정가스 분사를 통해 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 처리공간에 설치되며, 기판을 지지한 상태에서 공정 전체시간 동안 회전하는 기판지지부(20)와; 상기 기판 일측에서 상기 기판을 향해 공정가스를 상기 전체시간 중 일부시간 동안 분사하는 가스분사부(30)와; 상기 기판 상 상기 공정가스가 균일하게 분사되도록 상기 기판지지부(20)의 회전속도를 결정하는 제어부를 포함하며, 상기 제어부는, 상기 전체시간 동안 상기 회전속도에 따른 상기 공정가스의 상기 기판 상 분사산포를 산출하여, 최적의 회전속도를 결정하는 기판처리장치를 개시한다.
format Patent
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