APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE

본 발명은 전력전극의 정전기 대전 저감을 위한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것으로, 일실시예에서, 상부 챔버와 기판을 처리하기 위한 처리 공간을 포함하는 하부 챔버로 구성된 공정 챔버, 상기 처리 공간 내부에 구비되며, 기판을 고정하는 기판 지지부, 상기 상부 챔버의 내부 및 처리 공간으로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부, 상기 상부 챔버에 구비된 상부 전극과 상기 상부 전극에 연결되며 임피던스 정합기를 통하여 고주파 전력을 제공하는 고주파 전원을 포함하는 플라즈마 발생부 및 상기 상부 전극에 연결되며, 상기 상부 전극의 일면에 축전된 전하를 제거하는 필터부를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. A substrate treatment apparatus includes a processing chamber including an upper chamber and a lower chamber having a treatment space for treating a substrate, a substrate support unit provided in the treatment space, the substrate support unit fixing the substrate, a gas supply unit supplying a process gas to the inside of the upper chamber and the treatment space, a plasma generation unit including an upper electrode provided in the upper chamber and a high-frequency power source connected to the upper electrode, the high-frequency power source supplying high-frequency power through an impedance matcher, and a filter unit connected to the upper electrode, the filter unit removing charges accumulated on one surface of the upper electrode.