CMP CMP slurry for silicon wafers and silicon wafer polishing method using the same

본 발명은 연마입자; 아민 작용기를 포함하는 연마율 향상제; 적정제; 및 초순수;를 포함하고, 상기 연마율 향상제는 상기 연마입자와 실리콘 웨이퍼와의 가수분해를 촉진시키는, 실리콘 웨이퍼용 CMP 슬러리에 관한 것이다.

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	HAN MAN HYUP, BAE JAE YOUNG, SHIM TEA HUN, PARK JEAGUN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS GRINDING MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS PERFORMING OPERATIONS POLISHES POLISHING POLISHING COMPOSITIONS OTHER THAN FRENCH POLISH SEMICONDUCTOR DEVICES SKI WAXES TRANSPORTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	본 발명은 연마입자; 아민 작용기를 포함하는 연마율 향상제; 적정제; 및 초순수;를 포함하고, 상기 연마율 향상제는 상기 연마입자와 실리콘 웨이퍼와의 가수분해를 촉진시키는, 실리콘 웨이퍼용 CMP 슬러리에 관한 것이다.