고 종횡비 3D NAND 아키텍처의 텅스텐 워드라인 충진

증착-억제-증착 동작들을 포함하는 피처 충진 (fill) 프로세스들은 억제 프로파일을 튜닝하기 (tune) 위해 붕소-함유 화합물 처리를 사용한다. 일부 실시 예들에서, 피처는 억제 처리 전에 디보란 (B2H6) 과 같은 붕소-함유 화합물을 사용하여 비컨포멀하게 (non-conformally) 처리된다. 붕소-함유 화학 물질을 사용하여 피처들을 처리하는 것은 후속하여 적용된 억제 처리의 억제 효과를 증가시킨다. 디보란의 확산은 질소 트리플루오라이드 (NF3) 와 같은 억제 가스의 확산보다 제어하기 더 쉬워, 억제 프로파일의 제어를 용이하게 한다. Feature fill processes including deposition-inhibition-deposition operations use a boron-containing compound treatment to tune an inhibition profile. In some embodiments, a feature is non-conformally treated with a boron-containing compound such as diborane (B2H6) prior to an inhibition treatment. Treating the features with a boron-containing chemistry increases the inhibition effect of the subsequently applied inhibition treatment. The diffusion of diborane is easier to control than the diffusion of an inhibition gas such as nitrogen trifluoride (NF3), facilitating control of the inhibition profile.