IMAGE SENSOR AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

본 발명에 따른 이미지 센서는 복수의 픽셀 영역들을 포함하고, 서로 대향하는 제1 면 및 제2 면을 포함하는 기판; 및 상기 기판을 관통하고, 상기 복수의 픽셀 영역들 사이에 배치되는 깊은 소자분리패턴을 포함할 수 있다. 상기 깊은 소자분리패턴은: 상기 제2 면에 인접하는 제1 매립 패턴; 상기 제1 매립 패턴 상에 배치되고 상기 제1 면에 인접하는 제2 매립 패턴; 상기 제1 매립 패턴 상기 기판 사이의 반도체 패턴 상기 반도체 패턴 상에 배치되고 상기 기판과 상기 제2 매립 패턴 사이의 산화 반도체 패턴; 및 상기 반도체 패턴과...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	KIM JINGYUN, BAE BYEONGTAEK, NOH JONGHYEON, KIM KOOK TAE
Format:	Patent
Sprache:	eng ; kor
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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